[发明专利]横向PNP晶体管制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体工艺领域，尤其是一种横向PNP晶体管制作方法。

背景技术

横向PNP晶体管制作方法在双极、双极CMOS以及BCD器件中被广泛应用，但是现有的横向PNP晶体管发射极底部电流流失造成PNP晶体管放大增益的损耗。

如图1至图8所示，现有的制作横向PNP晶体管制作方法包括以下步骤：第一步，在P型衬底进行埋层注入和扩散；第二步，埋层氧化层去除，生长外延层；第三步，对基极进行涂胶、曝光、刻蚀并注入；第四步，基极扩散；第五步，在集电极进行硼注入；第六步，集电极扩散；第七步，发射极硼注入；第八步，发射极扩散。

采用现有方法制作的横向PNP晶体管带来的特殊结构，有长的漂移宽度，侧墙发射吸收电子等，上述特点决定了现有的横向PNP晶体管的放大增益很难有明显的提高。

虽然在现有的制作方法中可采用减少发射极与集电极间的距离来实现放大增益的改变，但间距的改变会造成击穿电压的降低而引起新的不足。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种横向PNP晶体管制作方法，能够大大减少因发射极底部电流流失而造成横向PNP晶体管放大增益的损耗，有利于获得高的放大增益。

为解决上述技术问题，本发明横向PNP晶体管制作方法所采用的技术方案是，包括以下步骤：第一步，在P型衬底进行埋层注入和扩散；第二步，对埋层进行氧化层去除并生长厚氧化层；第三步，对厚氧化层进行涂胶、曝光和刻蚀；第四步，选择性生长外延层；第五步，进行基极的深磷注入和集电极的硼扩散；第六步，淀积多晶硅并进行多晶硅硼注入；第七步，发射极多晶硅刻蚀。

本发明通过生长外延层来制作横向PNP晶体管，利用单步氧化和选择性外延隔离发射极底部、可以有效减小载流子在器件发射极底部的损耗、增大发射区浓度，可有效提高横向PNP管的增益。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1至图8为现有技术横向PNP晶体管制作方法示意图；

图9为本发明流程示意图；

图10至图16为本发明制作方法示意图。

具体实施方式

如图9至图16所示，本发明包括以下步骤：第一步，在P100型衬底进行埋层注入和扩散；第二步，对埋层进行氧化层去除并生长厚度为1um的厚氧化层；第三步，对厚氧化层进行涂胶、曝光和刻蚀；第四步，选择性生长外延层；第五步，进行基极的深磷注入和集电极的硼扩散；第六步，淀积多晶硅并进行多晶硅硼注入；第七步，发射极多晶硅刻蚀。

本发明在制作过程中生长外延层，采用低压选择性外延的方法，隔离横向PNP晶体管发射极底部，从而大大减少因发射极底部电流流失而造成横向PNP晶体管放大增益的损耗。