[发明专利]硅片蚀刻方法

权利要求书

1.一种硅片刻蚀方法，用于对硅片进行刻蚀，包括初刻、主刻、过刻三个步骤，其特征在于，所述的主刻步骤中采用的工艺气体包括CHF3、O2及SF6的混合气体。

2.根据权利要求1所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述的CHF3、O2及SF6的混合气体的组份比例为：

CHF3与O2之间的体积比例为0.02～20；

O2与SF6之间的体积比例为0.01～50。

3.根据权利要求1所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述混合气体在蚀刻工艺中的流速为10-500sccm。

4.根据权利要求1所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述混合气体在蚀刻工艺中的压力为4-100mT。

5.根据权利要求1至4任一项所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述的主刻步骤包括步骤：

A、CHF3、O2及SF6按照蚀刻工艺要求的比例混合后，按照蚀刻工艺要求的速度和压力充入反应腔室，所述反应腔室装有硅片，对硅片的刻蚀工艺在反应腔室内完成；同时，上射频电源SFR将充入反应腔室的混合气体电离成等离子体，下射频电源BFR对等离子体进行加速；

B、所述等离子体刻蚀硅片形成刻蚀槽，同时，等离子体与Si发生反应的生成物附着在刻蚀槽的侧壁上，在侧壁上形成保护层。

6.根据权利要求5所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述的等离子体包括F^*自由基、CHF_x⁺离子、O^*自由基、SF_x⁺离子；

所述步骤B包括：F^*自由基与Si发生反应生成SiFx；SiFx被混合气体中的O2氧化成SiOxFy；SiOxFy附着在刻蚀槽的侧壁上，在侧壁上形成保护层。

7.根据权利要求5所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述的SRF和BRF在蚀刻过程中的功率分别为200-1000W和20-500W，SRF和BRF的频率分别为1MHz-100MHz。