[发明专利]刻蚀设备的控温装置及其控制晶片温度的方法有效
| 申请号： | 200610112568.8 | 申请日： | 2006-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101131917A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 刘利坚 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/683;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇;王连军 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 设备 装置 及其 控制 晶片 温度 方法 | ||
1.一种刻蚀设备的控温装置，设于刻蚀设备的静电卡盘处，用于控制静电卡盘的温度，静电卡盘上可放置晶片，其特征在于，所述的静电卡盘上设有中心背冷气体通道和边缘背冷气体通道，且所述中心背冷气体通道与边缘背冷气体通道不连通；所述中心背冷气体通道和边缘背冷气体通道分别与气源连接。
2.根据权利要求1所述的刻蚀设备的控温装置，其特征在于，所述的中心背冷气体通道与晶片接触的部分紧密接触且密封良好。
3.根据权利要求2所述的刻蚀设备的控温装置，其特征在于，所述的边缘背冷气体通道的边缘与晶片接触的部分接触面稍粗糙，背冷气体可沿粗糙面部分泄漏。
4.根据权利要求2所述的刻蚀设备的控温装置，其特征在于，所述的静电卡盘的边缘设有一个或多个背冷气体泄漏孔，所述背冷气体泄漏孔与边缘背冷气体通道连通。
5.根据权利要求1至4任一项所述的刻蚀设备的控温装置，其特征在于，所述的中心背冷气体通道与中心气路连接，所述边缘背冷气体通道与边缘气路连接；所述中心气路上设有压强控制器，所述边缘气路上设有质量流量控制器；所述中心气路和边缘气路分别与气源连接。
6.根据权利要求5所述的刻蚀设备的控温装置，其特征在于，所述的中心背冷气体通道与边缘背冷气体通道分别设有多组，相互之间互不连通；所述中心气路和边缘气路分别设有一路或多路。
7.根据权利要求6所述的刻蚀设备的控温装置，其特征在于，所述的气源有一个或多个。
8.一种利用上述刻蚀设备的控温装置控制晶片温度的方法，其特征在于，包括以下步骤：
A、由气源向中心背冷气体通道和边缘背冷气体通道通入背冷气体，并使边缘背冷气体通道中的背冷气体部分泄漏；
B、通过控制中心背冷气体通道中背冷气体的压强控制晶片中部的温度；并通过控制边缘背冷气体通道中背冷气体的流量控制晶片边缘部分的温度。
9.根据权利要求8所述的控制晶片温度的方法，其特征在于，所述的步骤A中：
边缘背冷气体通道中的背冷气体通过静电卡盘边缘处的粗糙面或背冷气体泄漏孔部分泄漏；
所述步骤B中：
通过中心气路上设有的压强控制器控制中心背冷气体通道中背冷气体的压强；并通过边缘气路上设有的质量流量控制器控制边缘背冷气体通道中背冷气体的流量。
10.根据权利要求8所述的控制晶片温度的方法，其特征在于，所述的背冷气体为氦气。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
