[发明专利]具有高性能及高密度设计的布局架构

权利要求书

1.一种标准单元的布局架构，用于一集成电路，其特征在于其包括：

一基底；

一第一导体，配置于该基底上，用以传输第一电压；

一第二导体，配置于该基底上，用以传输第二电压；

一第三导体，配置于该基底上，用以传输第三电压；

一第四导体，配置于该基底上，用以传输第四电压；

一第一元件区，配置于该基底并邻近该第一导体；

一第二元件区，配置于该基底并邻近该第一元件区，且位于该第二导体下方；

一第三元件区，配置于该基底并邻近该第二元件区，且位于该第三导体下方；以及

一第四元件区，配置于该基底并位于该第三元件区与该第四导体之间。

2.根据权利要求1所述的标准单元的布局架构，其特征在于其中所述的第二元件区藉由电性连接该第二导体以获得该第二电压。

3.根据权利要求1所述的标准单元的布局架构，其特征在于其中所述的第三主动元件区藉由电性连接该些第三导体以获得该第三电压。

4.根据权利要求1所述的标准单元的布局架构，其特征在于其中所述的第一电压及该第三电压为电源电压。

5.根据权利要求1所述的标准单元的布局架构，其特征在于其中所述的第二电压及该第四电压为接地电压。

6.根据权利要求1所述的标准单元的布局架构，其特征在于其中所述的第一元件区及该第三元件区皆为P型MOS(metal oxide semiconductor，金属氧化物半导体)电晶体区。

7.根据权利要求1所述的标准单元的布局架构，其特征在于其中所述的第二元件区及该第四元件区皆为N型MOS电晶体区。

8.一种标准单元的布局架构，用于一集成电路，其特征在于其包括：

一基底；

一第一布局区，包括：

一第一导体，配置于该基底上，用以传输第一电压；

一第二导体，配置于该基底上，用以传输第二电压；

一第三导体，配置于该基底上，用以传输第三电压；

一第四导体，配置于该基底上，用以传输第四电压；

一第一元件区，配置于该基底并邻近该第一导体；

一第二元件区，配置于该基底并邻近该第一元件区，且位于该第二导体下方；

一第三元件区，配置于该基底并邻近该第二元件区，且位于该第三导体下方；及

一第四元件区，配置于该基底并位于该第三元件区与该第四导体之间；以及

一第二布局区，与第一布局区相接，包括：

一第五导体，配置于该基底上，用以传输第五电压；

一第六导体，配置于该基底上，用以传输第六电压；

一第五元件区，配置于该基底并邻近该第五导体；及

一第六元件区，配置于该基底并位于该第五元件区与该第六导体之间。

9.根据权利要求8所述的标准单元的布局架构，其特征在于其中所述的第二元件区藉由电性连接该第二导体以获得该第二电压。

10.根据权利要求8所述的标准单元的布局架构，其特征在于其中所述的第三主动元件区藉由电性连接该些第三导体以获得该第三电压。

11.根据权利要求8所述的标准单元的布局架构，其特征在于其中所述的第一电压、该第三电压及第五电压为电源电压。

12.根据权利要求8所述的标准单元的布局架构，其特征在于其中所述的第二电压、该第四电压及第六电压为接地电压。

13.根据权利要求8所述的标准单元的布局架构，其特征在于其中所述的第一元件区、该第三元件区及该第五元件区皆为P型MOS(metal oxidesemiconductor，金属氧化物半导体)电晶体区。

14.根据权利要求8所述的标准单元的布局架构，其特征在于其中所述的第二元件区、该第四元件区及该第六元件区皆为N型MOS电晶体区。