[发明专利]低温离子镀制备金属基润滑薄膜的方法无效
| 申请号： | 200610104586.1 | 申请日： | 2006-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN101144151A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 胡明;孙嘉奕;翁立军;刘维民;高晓明;李陇旭;汪晓萍;罗正义;杨军;伏彦龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46;C23C14/06;C23C14/54 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 | 代理人： | 方晓佳 |
| 地址： | 730000甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温 离子镀 制备 金属 润滑 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低温离子镀制备金属基润滑薄膜的方法，其特征在于该方法依次包括如下步骤：
A、制备与安装金属靶材
使用金属材料，加工成Φ60mm～80mm，高40mm～50mm的圆柱形状靶，将靶材安装在离子镀膜设备的镀膜室侧壁上的预留靶口内；
B、安装待镀膜基体
将待镀膜基体清洗干净并烘干后装入镀膜室内的试样夹具上，使待镀膜基体与靶材之间的距离保持在80mm～200mm，并且使基体表面法线与靶材表面法线间的夹角在-30°～+30°之间，同时在待镀膜基体与试样夹具工装的贴合面安装测温元件，以检测基体沉积温度；
C、离子轰击处理
将镀膜室抽真空至6.0×10-3Pa～6.0×10-4Pa，充入高纯氩气1.0Pa～5.0Pa，离子轰击电压-50V～-3000V；
D、低温获得过程
通过进液管路向试样夹具内通入液氮，从而使待镀膜基体温度降低到-20℃～-178℃，待镀膜基体温度由测温元件直接监测；
E、镀膜
镀膜Ar气压10-2Pa～100Pa，金属靶材电压10V～40V，电流40A-100A，工作偏压0V～-3000V，沉积时间10s～30mim；镀膜结束后自然升温至室温。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于金属材料选自Ag、Ni、Cu、Cr或AgCu合金。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于待镀膜基体选自钢、铜或硅片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院兰州化学物理研究所，未经中国科学院兰州化学物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610104586.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种机车故障隔离控制方法及装置
- 下一篇：大功率半导体激光器阵列光束准直系统
- 同类专利
- 专利分类
