[发明专利]晶片封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体元件及其制造方法，且特别是有关于一种晶片封装结构及其制造方法(CHIP PACKAGE AND MANUFACTURING METHODTHREROF)。

背景技术

在半导体产业中，集成电路(integrated circuits，IC)的生产主要可分为三个阶段：集成电路的设计(IC design)、集成电路的制作(ICprocess)及集成电路的封装(IC package)。

在集成电路的制作中，晶片(chip)是经由晶圆(wafer)制作、形成集成电路以及切割晶圆(wafer sawing)等步骤而完成。晶圆具有一主动面(active surface)，其泛指晶圆的具有主动元件(active device)的表面。当晶圆内部的集成电路完成之后，晶圆的主动面更配置有多个焊垫(bonding pad)，以使最终由晶圆切割所形成的晶片可经由这些焊垫而向外电性连接于一承载器(carrier)。承载器例如为一导线架(leadframe)或一封装基板(package substrate)。晶片可以打线接合(wire bonding)或覆晶接合(flip chip bonding)的方式连接至承载器上，使得晶片的这些焊垫可电性连接于承载器的接点，以构成一晶片封装结构。

图1A绘示现有的一种晶片封装结构的侧视剖面示意图，而图1B绘示图1A的晶片封装结构的部分构件的俯视示意图。请同时参考图1A与图1B，现有的晶片封装结构100包括一晶片110、一导线架120、多条第一焊线(bonding wire)130、多条第二焊线140、多条第三焊线150与一胶体(encapsulant)160。晶片110具有一主动面112与配置于主动面112上的多个第一焊垫114与第二焊垫116。晶片110固着于导线架120下方，而导线架120包括多个内引脚(inner lead)122与一汇流架(bus bar)124。这些内引脚122与汇流架124位于晶片110的主动面112的上方或下方，且汇流架124的形状为环形。

请参考图1B，由于晶片110的第一焊垫114具有相同电位，而这些第一焊垫114例如是接地焊垫或电源焊垫，因此这些等电位的第一焊垫114可分别借由这些第一焊线130连接至汇流架124，而汇流架124再借由这些第二焊线140连接至相对应的部分内引脚122。然而，晶片110的作为传输讯号用的第二焊垫116(例如电位随时改变的讯号焊垫)必须分别借由第三焊线150连接至相对应的其他内引脚122，且这些第三焊线150通常需跨越部分第一焊线130、部分第二焊线140与汇流架124。因此，这些第三焊线150的长度较长，使得这些第三焊线150容易坍塌而造成电性短路。或者，这些第三焊线150容易在封胶时发生坍塌或被灌入的胶体扯断而造成电性断路。

发明内容

本发明的目的是提供一种晶片封装结构，以降低焊线坍塌的可能性。

本发明的另一目的是提供一种晶片封装结构的制造方法，以提升晶片封装结构的生产良率。

为达上述或是其他目的，本发明提出一种晶片封装结构，其包括一晶片、一导线架、多条第一焊线与多条第二焊线。晶片具有一主动面与多个晶片焊垫(chip bonding pad)，其中这些晶片焊垫配置于主动面上。导线架固着于晶片上，导线架包括多个内引脚、至少一汇流架、一绝缘层与多个转接焊垫(transfer bonding pad)。汇流架位于这些晶片焊垫与这些内引脚之间，绝缘层配置于汇流架上。这些转接焊垫配置于绝缘层上，且这些内引脚与汇流架位于晶片的主动面上方，而晶片与绝缘层分别位于汇流架的相对两表面上。这些第一焊线分别连接这些晶片焊垫与这些转接焊垫，且这些第二焊线分别连接这些转接焊垫与这些内引脚。

在本发明的一实施例中，上述的汇流架可为环状。

在本发明的一实施例中，上述的汇流架可为条状。

在本发明的一实施例中，上述的晶片封装结构更包括一胶体。胶体包覆主动面、这些内引脚、汇流架、这些第一焊线与这些第二焊线。