[发明专利]光资讯储存媒体

说明书

技术领域

本发明涉及一种储存媒体，特别是涉及一种光资讯储存媒体。

背景技术

随着人们对资讯与影音的需求量急速上升，业者开发各种储存媒体以供人们储存所需的资料，并朝着提升储存媒体的记录容量而努力不懈，其中，光资讯储媒体(optical information storage medium)以价格低廉与携带方便等优点而广泛的被人们所使用。

一般来说，人们可以将想要储存的资讯，利用预录或烧录的方式于光资讯储媒体中刻制一连串记录资讯(recording marks)。接着，当使用者需要获取这些资讯时，是藉由一激光读取头所产生的聚焦光束照射于光资讯储媒体内的记录资讯上，以产生反射光束，然后，再以一光学侦测器侦测并分辨由记录资讯所反射的光束强度的改变，以撷取这些记录资讯所内含的资料。

由上可知，若记录资讯的尺寸(mark size)越小，光资讯储媒体中所可以刻制的记录资讯数量也就越多，相对地，光资讯储媒体的记录容量也就越大。然而，由于受到光学绕射极限(diffraction limit)的限制，光学侦测器所能分辨记录资讯的尺寸大小是与聚焦光束的波长以及激光读取头中透镜的数值孔径(numerical aperture，NA)有关。若以目前市售的DVD光碟机为例，其激光读取头所使用的聚焦光束波长为650nm，且其激光读取头中透镜的数值孔径为0.6时，解析度极限(resolution limit)约为260nm。换言之，若此光资讯储媒体中记录资讯的尺寸小于260nm时，由一频谱仪读取反射光束所得到的讯噪比(Carrier-to-Noise Ratio，CNR)约为0，即无法分辨这些记录资讯。

直到1998年，日本的研究团体首次提出第一代的超解析近场结构的光资讯储存媒体1，其是于一0.mm的基板11上依序形成一170nm的介电层12、一15nm的光学遮罩层13、一20nm的间隔层14、一15nm的记录层15以及一20nm的介电层16，其中，介电层12、16与间隔层14的材质是为氮化硅(SiN)，记录层15的材料是由锗锑碲系列(Ge₂Sb₂Te₅)所组成，而光学遮单层13的材质为锑(Sb)。

当激光读取头所产生的聚焦光束透过光学遮罩层13时而照射于记录层15上的记录资讯时，是因局域表面电浆子(localized surface plasmon)效应而产生超解析现象，进而使光学侦测器可分辨小于解析度极限的记录资讯。

清参照图2所示，其是为光资讯储存媒体1中记录资讯尺寸的大小与光学侦测器所侦测到的讯噪比的实验结果。由实验结果可得知，当记录资讯的尺寸约为100nm(小于解析度极限260nm)时，讯噪比约为10dB，故能勉强分辨讯号与噪音的差别。然而，由于光学遮罩层13的材质锑的热稳定性不佳，不适合作为商用化产品的材料，而且10dB的讯噪比亦有待加强。

因此，如何找寻一种可以产生显著超解析现象，而且具有良好热稳定性的光资讯储存媒体，实属当前重要课题之一。

由此可见，上述现有的光资讯储存媒体在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决光资讯储存媒体存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决的道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。

有鉴于上述现有的光资讯储存媒体存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型结构的光资讯储存媒体，能够改进一般现有的光资讯储存媒体，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

本发明的目的在于，克服现有的光资讯储存媒体存在的缺陷，而提供一种新型的光资讯储存媒体，所要解决的技术问题是使其可以产生显著超解析现象，而且具有良好热稳定性，从而更加适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种光资讯储存媒体，其包括：一第一基板；一光学遮罩层，是包括一第二族-第六族半导体化合物及一陶瓷材料，该光学遮罩层是设置于该第一基板之上；一间隔层，是设置于该光学遮罩层上；以及一记录层，是设置于该间隔层上。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的光资讯储存媒体，其中所述的记录层的材料是为一相变化材料或一有机染料。