[发明专利]防止粘晶胶污染晶片焊垫的封装构造及其基板有效
申请号: | 200610098733.9 | 申请日: | 2006-07-10 |
公开(公告)号: | CN101106119A | 公开(公告)日: | 2008-01-16 |
发明(设计)人: | 林鸿村 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/31 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防止 粘晶胶 污染 晶片 封装 构造 及其 | ||
1.一种防止粘晶胶污染晶片焊垫的封装构造,其包括:
一基板,其具有一上表面、一下表面以及至少一打线通道,其中该上表面与该下表面各形成有一第一防焊层与一第二防焊层;
一晶片,其具有一主动面以及复数个设于该主动面的焊垫;
一粘晶胶,其粘接该晶片的该主动面至该基板的该上表面,并使该些焊垫位于该打线通道内;
复数个焊线,其经过该打线通道而电性连接该晶片的该些焊垫至该基板;以及
一封胶体,其至少形成于该打线通道内,以密封该些焊线;
其特征在于其中所述的第一防焊层具有至少一导胶开口,以在该打线通道两侧各形成一防焊挡条,藉此防止该粘晶胶污染至该晶片的该些焊垫。
2.根据权利要求1所述的防止粘晶胶污染晶片焊垫的封装构造,其特征在于其中所述的导胶开口的形状不对应于该晶片的该主动面使其具有一不被该晶片遮盖的聚胶区。
3.根据权利要求1所述的防止粘晶胶污染晶片焊垫的封装构造,其特征在于其中所述的导胶开口的形状可使该第一防焊层具有复数个被该晶片遮盖的支撑指。
4.根据权利要求1所述的防止粘晶胶污染晶片焊垫的封装构造,其特征在于其中所述的粘晶胶选自于B阶固化胶、糊状环氧胶与无流动底部填充胶其中之一。
5.根据权利要求1所述的防止粘晶胶污染晶片焊垫的封装构造,其特征在于其更包括有一拦坝,其形成于该基板的该下表面并突出于该第二防焊层,用以限制该封胶体。
6.根据权利要求1所述的防止粘晶胶污染晶片焊垫的封装构造,其特征在于其中所述的防焊挡条平行并邻近于该打线通道。
7.一种防止粘晶胶污染晶片焊垫的基板,其具有一上表面、一下表面以及至少一打线通道,其特征在于其中该上表面与该下表面各形成有一第一防焊层与一第二防焊层,该上表面定义有一晶片粘接区,该第一防焊层具有至少一导胶开口,以在该打线通道两侧各形成一防焊挡条,藉此防止粘晶胶污染至该晶片的复数个焊垫。
8.根据权利要求7所述的防止粘晶胶污染晶片焊垫的基板,其特征在于其中所述的导胶开口具有一超出该晶片粘接区的聚胶区。
9.根据权利要求7所述的防止粘晶胶污染晶片焊垫的基板,其特征在于其更包括有一粘晶胶,其形成于该导胶开口内且高于该第一防焊层。
10.根据权利要求7所述的防止粘晶胶污染晶片焊垫的基板,其特征在于其中所述的防焊挡条平行并邻近于该打线通道。
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