[发明专利]流体喷射装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200610094106.8 申请日: 2006-06-22
公开(公告)号: CN101091937A 公开(公告)日: 2007-12-26
发明(设计)人: 庄文宾;周忠诚 申请(专利权)人: 明基电通股份有限公司
主分类号: B05B1/00 分类号: B05B1/00;B41J2/14;B41J2/16
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 流体 喷射 装置 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种流体喷射装置及其制造方法,且特别是涉及一种微流体喷射装置及其制造方法。

背景技术

微流体喷射装置近来已广泛地运用于信息产业,例如喷墨打印机或类似设备中。随着微系统工程(micro system engineering)的逐步开发,此种流体喷射装置逐渐有其它众多领域的应用,例如燃料喷射系统(fuel injectionsystem)、细胞筛选(cell sorting)、药物释放系统(drug delivery system)、喷印光刻技术(print lithography)及微喷射推进系统(micro jet propulsion system)等。

图1A~1B揭示一种现有的单片化的流体喷射装置100的制造方法,首先,请参照图1A,提供基底102,并在基底102的第一面101上形成图形化的牺牲层104,后续,形成覆盖牺牲层104及基底的第一面101的结构层106,接下来,在基底102的第二面103上形成掩模层108。后续,请参照图1B,图形化掩模层108,并以图形化后的掩模层108为掩模,蚀刻基底102,以形成流体通道110,直至暴露牺牲层,接着,经由流体通道110蚀刻牺牲层,以形成流体腔112。在一般的现有技术中,牺牲层104为介电材料所组成,由于介电材料本身的特性,很难沉积厚度足够厚的牺牲层104,此外,介电材料的牺牲层104和金属或介电材料的结构层106皆不易蚀刻或是移除,工艺相对较复杂。

发明内容

根据上述问题,本发明的目的为提供一种流体喷射装置及其制造方法,可提供相对较简单的工艺。

本发明提供一种流体喷射装置的制造方法。首先,在基底上形成图形化的高分子牺牲层。其后,在基底上形成高分子结构层,且高分子结构层直接接触高分子牺牲层。后续,图形化高分子结构层,以形成喷孔。移除高分子牺牲层,以形成流体腔,其中高分子牺牲层和高分子结构层大体上不具有工艺兼容性问题。

本发明提供一种流体喷射装置的制造方法。首先,在基底上形成第一感光型高分子层,以具有流体腔图案的光掩模为掩模,并以第一波长范围的光线对第一感光型高分子层进行曝光。其后,在曝光后的第一感光型高分子层上形成第二感光型高分子层,以具有喷孔图案的光掩模为掩模,并以第二波长范围的光线对第二感光型高分子层进行曝光,其中第一波长范围和第二波长范围大体上不重叠。接着,同时对第一感光型高分子层和第二感光型高分子层进行显影,以定义出流体腔和位于第二感光型高分子层中的喷孔。

本发明提供一种流体喷射装置。侧壁结构层位于基底上。上盖结构层位于侧壁结构层上,其中侧壁结构层和上盖结构层构成流体喷射装置的流体腔,且侧壁结构层由可对第一曝光波长范围反应的光致抗蚀剂材料组成,上盖结构层由可对第二曝光波长范围反应的光致抗蚀剂材料组成,第一曝光波长范围和第二曝光波长范围不互相干扰。

附图说明

图1A~1B揭示一种现有的流体喷射装置的制造方法。

图2A~图2C揭示本发明一实施例流体喷射装置的制造方法。

图3A~图3C揭示本发明另一实施例流体喷射装置的制造方法。

图4A~图4D揭示本发明又一实施例流体喷射装置的制造方法。

简单符号说明

100~流体喷射装置;

101~第一面;

103~第二面;

102~基底;

104~牺牲层;

106~结构层;

108~掩模层;

110~流体通道;

112~流体腔;

112’~扩大的流体腔;

200~基底;

202~高分子牺牲层;

204~阻挡层;

206~高分子结构层;

208~喷孔;

210~流体腔;

300~基底;

302~高分子牺牲层;

304~高分子结构层;

306~喷孔;

308~流体腔;

400~基底;

402~第一感光型高分子层;

404~光掩模;

406~流体腔区域;

408~第二感光型高分子层;

410~光掩模;

411~滤光片;

412~喷孔区域;

413~曝光源;

414~流体腔;

416~喷孔。

具体实施方式

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