[发明专利]数据存储装置、数据存储方法以及数据读取方法

权利要求书

1.一种数据存储装置，包括：

至少一个电桥，用于存储二进制数据，其中每个电桥具有四个臂，并利用两个对角点之间的非平衡状态表示一位；以及

至少一个比较器，分别连接在每个上述电桥的上述两个对角点之间，用于判断上述电桥所表示的位的值，

其中，当对上述电桥的两端施加电压时，上述比较器比较上述两个对角点之间的电平差，如果所述电平差落入第一阈值范围，所述电桥表示“0”，如果所述电平差落入第二阈值范围，所述电桥表示“1”。

2.根据权利要求1所述的数据存储装置，其中，所述电桥为电容电桥。

3.根据权利要求2所述的数据存储装置，其中，所述电容电桥包括配置臂，所述配置臂包括并联连接的固定电容器和可调电容器。

4.根据权利要求3所述的数据存储装置，其中，所述可调电容器包括多个并联连接的配置电容器，所述配置电容器串联连接有开关。

5.根据权利要求4所述的数据存储装置，其中，所述开关包括熔丝，其中通过熔断所述熔丝控制所述开关，调节所述电桥的非平衡状态。

6.根据权利要求4所述的数据存储装置，还包括控制单元，用于通过控制所述开关，调节所述电桥的非平衡状态。

7.根据权利要求6所述的数据存储装置，其中，所述控制单元根据所述比较器的判断结果控制所述开关。

8.根据权利要求6所述的数据存储装置，其中，所述开关包括场效应晶体管开关，所述控制单元包括存储器，所述存储器分别与所述场效应晶体管开关相连，以控制所述场效应晶体管开关的通断。

9.根据权利要求8所述的数据存储装置，其中，所述场效应晶体管开关是金属氧化物半导体场效应晶体管开关。

10.根据权利要求8所述的数据存储装置，其中，所述存储器是闪存存储器。

11.根据权利要求6-10中任何一项所述的数据存储装置，还包括随机数字产生器，用于通过所述控制单元随机地关断或导通所述开关。

12.根据权利要求1所述的数据存储装置，其中，所述电桥为电阻电桥。

13.根据权利要求12所述的数据存储装置，其中，所述电阻电桥包括配置臂，所述配置臂包括串联连接的固定电阻器和可调电阻器。

14.根据权利要求13所述的数据存储装置，其中，所述可调电阻器包括多个串联连接的配置电阻器，所述配置电阻器并联连接有开关。

15.根据权利要求14所述的数据存储装置，其中，所述开关包括熔丝，其中通过熔断所述熔丝控制所述开关，调节所述电桥的非平衡状态，以写入数据。

16.根据权利要求14所述的数据存储装置，还包括控制单元，用于通过控制所述开关，调节所述电桥的非平衡状态，以写入数据。

17.根据权利要求16所述的数据存储装置，其中，所述控制单元根据所述比较器的判断结果控制所述开关。

18.根据权利要求16所述的数据存储装置，其中，所述开关包括场效应晶体管开关，所述控制单元包括存储器，所述存储器分别与所述场效应晶体管开关相连，以控制所述场效应晶体管开关的通断。

19.根据权利要求18所述的数据存储装置，其中，所述场效应晶体管开关是金属氧化物半导体场效应晶体管开关。

20.根据权利要求18所述的数据存储装置，其中，所述存储器是闪存存储器。

21.根据权利要求16-20中任何一项所述的数据存储装置，还包括随机数字产生器，用于通过所述控制单元随机地关断或导通所述开关。

22.根据权利要求1所述的数据存储装置，其中，当对上述电桥的两端施加2.5V-5V的电压时，所述第一阈值范围为-0.3mV至-0.15mV，所述第二阈值范围为0.15mV至0.3mV。