[发明专利]白光发光二极管无效
| 申请号: | 200610091129.3 | 申请日: | 2006-06-30 |
| 公开(公告)号: | CN101097974A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
| 发明(设计)人: | 樊斌;邵剑心 | 申请(专利权)人: | 晶荧光学科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙明岩 |
| 地址: | 英属维尔京*** | 国省代码: | 维尔京群岛;VG |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 白光 发光二极管 | ||
1.一种白光发光二极管,包括用于发射光的光源部分和透光的保护件,所述保护件封装在所述光源部分发出的光出射的至少一侧上,其特征在于,所述保护件上一体地形成有光控制构造。
2.如权利要求1所述的白光发光二极管,其特征在于,所述光控制构造包括二元光学构造。
3.如权利要求2所述的白光发光二极管,其特征在于,所述保护件包括入射光侧和出射光侧,在所述入射光侧和出射光侧中的至少一侧上形成有控制至少一种光学性质用的二元光学浮雕图案。
4.如权利要求3所述的白光发光二极管,其特征在于,所述光学性质至少包括均化。
5.如权利要求4所述的白光发光二极管,其特征在于,所述光源部分包括多个彩色发光二极管,所述多个彩色发光二极管的钝化层上具有光子晶体结构,所述光子晶体结构使各个所述彩色发光二极管发出的光成为准直光。
6.如权利要求4所述的白光发光二极管,其特征在于,所述光学性质至少还包括准直。
7.如权利要求6所述的白光发光二极管,其特征在于,所述光源部分包括多个彩色发光二极管。
8.如权利要求6所述的白光发光二极管,其特征在于,其中具有荧光激发材料,所述光源部分发出的光照射到所述荧光激发材料时能够对其进行激发。
9.如权利要求8所述的白光发光二极管,其特征在于,所述光源部分包括紫外发光二极管。
10.如权利要求9所述的白光发光二极管,其特征在于,所述光源部分与所述荧光激发材料之间具有滤光层,所述滤光层能够透射紫外光并反射可见光。
11.如权利要求6到10中任一项所述的白光发光二极管,其特征在于,在所述入射光侧和所述出射光侧上分别形成控制所述均化的浮雕图案和控制所述准直的浮雕图案之一。
12.如权利要求2所述的白光发光二极管,其特征在于,所述保护件包括至少2层,在所述至少2层中的至少一层保护件上一体形成有控制至少一种光学性质用的二元光学浮雕图案。
13.如权利要求12所述的白光发光二极管,其特征在于,在所述至少2层中的至少一层保护件是光子晶体,所述光子晶体中不同折射率部分周期性分布使入射光经过所述光子晶体构造层后至少具有一种光学性质。
14.如权利要求1所述的白光发光二极管,其特征在于,所述光控制构造包括光子晶体构造。
15.如权利要求14所述的白光发光二极管,其特征在于,所述保护件包括入射光侧和出射光侧,在所述入射光侧和出射光侧中的至少一侧上形成有光子晶体构造,所述光子晶体构造中不同折射率部分周期性分布使入射光经过所述光子晶体构造后至少具有一种光学性质。
16.如权利要求15所述的白光发光二极管,其特征在于,所述光学性质至少包括均化。
17.如权利要求16所述的白光发光二极管,其特征在于,所述光源部分包括多个彩色发光二极管,所述多个彩色发光二极管的钝化层上具有光子晶体结构,所述光子晶体结构使各个所述彩色发光二极管发出的光成为准直光。
18.如权利要求16所述的白光发光二极管,其特征在于,所述光学性质至少还包括准直。
19.如权利要求18所述的白光发光二极管,其特征在于,所述光源部分包括多个彩色发光二极管。
20.如权利要求18所述的白光发光二极管,其特征在于,其中具有荧光激发材料,所述光源部分发出的光照射到所述荧光激发材料时能够对其进行激发。
21.如权利要求20所述的白光发光二极管,其特征在于,所述光源部分包括紫外发光二极管。
22.如权利要求21所述的白光发光二极管,其特征在于,所述光源部分与所述荧光激发材料之间具有滤光层,所述滤光层能够透射紫外光并反射可见光。
23.如权利要求18到22中任一项所述的白光发光二极管,其特征在于,在所述入射光侧和所述出射光侧上分别形成控制所述均化的光子晶体构造和控制所述准直的光子晶体构造之一。
24.如权利要求14所述的白光发光二极管,其特征在于,所述保护件包括至少2层,所述至少2层中的至少一层保护件是光子晶体,所述光子晶体中不同折射率部分周期性分布使入射的光经过所述光子晶体构造后层至少具有一种光学性质。
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