[发明专利]防磁头隧道磁电阻的磁阻阻抗降低的方法及微纹形成方法

权利要求书

1.一种防止磁头之隧道磁电阻的磁阻阻抗降低的方法，其特征在于包括下列步骤：

(a)将由若干磁头结构的本体构成的磁条定位在一托盘上，每一磁头结构的本体具有一极尖，极尖具有一隧道磁电阻元件；

(b)将所述托盘装入处理室，抽空处理室至预设的压强；

(c)向所述处理室引入包含氧气的处理气体；及

(d)将所述磁头结构的本体暴露在处理气体中的蚀刻手段中，使隧道磁电阻元件表面氧化而形成一层氧化层；

(e)在所述氧化层上形成厚度为40埃的硅层；

(f)在所述硅层上形成类金刚石碳层。

2.如权利要求1所述的防止磁头之隧道磁电阻的磁阻阻抗降低的方法，其特征在于：所述隧道磁电阻元件包括二金属层及一夹在二金属层之间的阻挡层，所述氧化层形成在二金属层上。

3.如权利要求1所述的防止磁头之隧道磁电阻的磁阻阻抗降低的方法，其特征在于：所述氧化层的厚度在1.5纳米至4纳米之间。

4.如权利要求3所述的防止磁头之隧道磁电阻的磁阻阻抗降低的方法，其特征在于：所述氧化层的厚度为2纳米。

5.一种在磁头表面形成微纹的方法，其特征在于包括下列步骤：

(a)将由若干磁头结构的本体构成的磁条定位在一托盘上，每一磁头结构的本体具有一极尖，极尖具有一隧道磁电阻元件；

(b)将所述托盘装入处理室，抽空处理室至预设的压强；

(c)向所述处理室引入包含氧气的处理气体；

(d)将所述磁条暴露在处理气体中的蚀刻手段中而在每一隧道磁电阻元件的表面形成一层氧化层，并在每一磁头结构的本体之没有覆盖氧化层的一表面形成两阶结构的微纹；

(e)在磁头结构的本体表面及隧道磁电阻元件的表面形成40埃的硅层；及

(f)在硅层上形成类金刚石碳层。

6.如权利要求5所述的在磁头表面形成微纹的方法，其特征在于：所述隧道磁电阻元件包括二金属层及一夹在二金属层之间的阻挡层，所述氧化层形成在二金属层上。

7.如权利要求5所述的在磁头表面形成微纹的方法，其特征在于：所述氧化层的厚度在1.5纳米至4纳米之间。

8.如权利要求7所述的在磁头表面形成微纹的方法，其特征在于：所述氧化层的厚度为2纳米。

9.如权利要求5所述的在磁头表面形成微纹的方法，其特征在于：所述处理气体是氧气与至少一种惰性气体的混合气体。

10.如权利要求5所述的在磁头表面形成微纹的方法，其特征在于：所述处理气体是纯氧气。

11.如权利要求5所述的在磁头表面形成微纹的方法，其特征在于：在所述步骤(a)之前还包括研磨所述磁头结构的本体表面的步骤。

12.如权利要求5所述的在磁头表面形成微纹的方法，其特征在于：在所述步骤(c)之前还包括用光致抗蚀剂罩遮蔽所述极尖的步骤。

13.如权利要求12所述的在磁头表面形成微纹的方法，其特征在于：所述光致抗蚀剂罩可以是正极性光致抗蚀剂罩或负极性光致抗蚀剂罩。

14.如权利要求5所述的在磁头表面形成微纹的方法，其特征在于：所述蚀刻手段包括等离子体或离子束。

15.如权利要求14所述的在磁头表面形成微纹的方法，其特征在于：所述等离子体是直接电容耦合等离子体或电感耦合等离子体。

16.如权利要求14所述的在磁头表面形成微纹的方法，其特征在于：所述等离子体是通过电子回旋加速共振增强微波源产生的。

17.一种磁头制造方法，其特征在于包括以下步骤：

(a)将由若干磁头结构的本体构成的磁条定位在一托盘上，每一磁头结构的本体具有一极尖，极尖具有一隧道磁电阻元件；

(b)将所述托盘装入处理室，抽空处理室至预设的压强；

(c)向所述处理室引入包含氧气的处理气体；

(d)将磁条暴露在处理气体中的蚀刻手段中而在每一隧道磁电阻元件的表面形成一层氧化层，并在每一磁头结构的本体之没有覆盖氧化层的一表面形成两阶结构的微纹；

(e)在磁头结构的本体表面及每一隧道磁电阻元件的表面形成厚度为40埃的硅层；

(f)在硅层上形成类金刚石碳层；及

(g)将磁条切割成单个的磁头。