[发明专利]新型闪烁晶体LaBr3:Ce3+的坩埚下降法生长工艺

权利要求书

1、LaBr₃:Ce³⁺单晶的坩埚下降法生长工艺，包括原料制备、晶体生长、晶体加工等步骤，其特征在于：通过卤化焙烧脱水处理制备严格无水溴化物原料，添加少量活性碳粉作为溴化物原料的除氧剂；密封铂坩埚以避免熔体氧化和挥发，控制适当工艺条件进行坩埚下降晶体生长；采用油性磨料进行晶体加工，通过镀膜处理以避免晶体潮解。

2、按权利要求1所述的单晶生长工艺，其特征在于采用卤化焙烧处理制备严格无水溴化物配合料，即在干燥HBr气体保护下，通过适度焙烧处理使含结晶水的溴化镧、溴化铈及其混合多晶逐步脱水，以制备满足晶体生长需要的无水溴化物原料。

3、按权利要求1或2所述的单晶生长工艺，其特征在于采用两步卤化焙烧脱水处理法：先通过第一次脱水处理获得单组分无水溴化镧、溴化铈，再将适当比例的配合料装入铂坩埚，放入管式电阻炉进行第二次脱水处理；脱水处理结束后，立即密闭焊封铂坩埚，以避免配合料发生吸潮。

4、按权利要求1或2或3所述的单晶生长工艺，其特征在于原料制备采用适当工艺条件，在卤化焙烧脱水处理中，须保持通入足量HBr气体，逐步升高焙烧温度，且控制焙烧温度于300℃以下，经过6～8小时焙烧处理，以脱去原料所含全部水分。

5、按权利要求1所述的单晶生长工艺，其特征在于晶体生长过程须控制适当的工艺参数，须控制炉温于850～900℃，形成温度梯度为20～50℃/厘米的固液界面，以0.3～3毫米/小时的速率进行坩埚下降晶体生长。

6、根据权利要求1的单晶生长工艺，其特征在于所生长单晶可以为圆柱、棱柱等形状，且单台生长炉每次可获得1～10根单晶。