[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管结构及其制造方法

权利要求书

1.一种制造低温多晶硅薄膜晶体管的方法，其特征是包含：

提供一个基体；

于基体上形成图案化第一导体层；

于图案化第一导体层上形成第一绝缘层；

于第一绝缘层上形成多晶硅薄膜层；

于多晶硅薄膜层上形成第二绝缘层；

将多晶硅薄膜层与第二绝缘层予以图案化以形成图案化多晶硅薄膜层与位于图案化多晶硅薄膜层上的图案化第二绝缘层；

于图案化第二绝缘层上形成掺杂的多晶硅薄膜层；

于掺杂的多晶硅薄膜层上形成图案化第二导体层，该图案化第二导体层曝露出位于图案化第二绝缘层上方的掺杂的多晶硅薄膜层的局部；以及

将曝露出的掺杂的多晶硅薄膜层的局部予以移除使曝露出图案化第二绝缘层的局部。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征是图案化多晶硅薄膜层的面积不大于其投影至图案化第一导体层处所相对应的该段图案化第一导体层的面积。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征是图案化第二绝缘层的面积不大于其投影至图案化第一导体层处所相对应的该段图案化第一导体层的面积。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征是进一步包含在同一真空反应室中，原位依次形成该第一绝缘层、多晶硅薄膜层以及第二绝缘层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征是在形成图案化第二绝缘层之后，进一步包含形成多个贯穿至图案化第一导体层的接触孔。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征是在形成该掺杂的多晶硅薄膜层之后，进一步包含形成多个贯穿至图案化第一导体层的接触孔。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征是进一步包含以化学汽相沉积来形成该掺杂的多晶硅薄膜层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征是在沉积该掺杂的多晶硅薄膜层时，该掺杂的多晶硅薄膜层在其与图案化多晶硅薄膜层的界面处的沉积速率大于该掺杂的多晶硅薄膜层在其与图案化第二绝缘层的界面处的沉积速率。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征是在沉积该掺杂的多晶硅薄膜层时，该掺杂的多晶硅薄膜层在其与图案化多晶硅薄膜层的界面处的沉积速率约为该掺杂的多晶硅薄膜层在其与图案化第二绝缘层的界面处的沉积速率的两倍以上。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征是进一步包含以非等向性刻蚀将多晶硅薄膜层予以图案化。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征是进一步包含以非等向性刻蚀将第二绝缘层予以图案化。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征是进一步包含：

开启该低温多晶硅薄膜晶体管；以及

使开启电流由该图案化多晶硅薄膜层与掺杂的多晶硅薄膜层的界面处的一侧边流入，而由该图案化多晶硅薄膜层与掺杂的多晶硅薄膜层的界面处的另一侧边流出。

13.一种制造低温多晶硅薄膜晶体管的方法，其特征是包含：

提供基体；

于基体上形成图案化第一导体层；

于图案化第一导体层上形成一层第一绝缘层；

于第一绝缘层上沉积一层多晶硅薄膜层；

于多晶硅薄膜层上沉积一层第二绝缘层；

以非等向性刻蚀将第二绝缘层予以图案化以形成图案化第二绝缘层；

以非等向性刻蚀将多晶硅薄膜层予以图案化以形成位于图案化第二绝缘层下的图案化多晶硅薄膜层；

于图案化第二绝缘层上形成一层掺杂的多晶硅薄膜层；

于掺杂的多晶硅薄膜层上形成图案化第二导体层，该图案化第二导体层曝露出位于图案化第二绝缘层上方的掺杂的多晶硅薄膜层的局部；以及

将曝露出的掺杂的多晶硅薄膜层的局部予以移除使曝露出图案化第二绝缘层的局部。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征是图案化多晶硅薄膜层的面积不大于其投影至图案化第一导体层处所相对应的该段图案化第一导体层的面积。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征是图案化第二绝缘层的面积不大于其投影至图案化第一导体层处所相对应的该段图案化第一导体层的面积。

16.根据权利要求13所述的方法，其特征是进一步包含在同一反应室中，原位依次形成该第一绝缘层、多晶硅薄膜层以及第二绝缘层。