[发明专利]独石流体喷射装置及其制造方法

权利要求书

1.一种独石流体喷射装置的制造方法，包括：

提供衬底，且该衬底具有第一表面及第二表面；

在该衬底的所述第一表面上形成图案化牺牲层；

在该图案化牺牲层上形成图案化保护层；

在该衬底的所述第一表面上形成电镀起始层，且覆盖该图案化保护层；

在该电镀起始层上形成图案化光致抗蚀剂层；

在暴露的该电镀起始层上形成金属结构层，且该金属结构层与该图案化光致抗蚀剂层相邻；

移除该图案化光致抗蚀剂层与该图案化光致抗蚀剂层下方的该电镀起始层及该图案化保护层，从而形成喷孔。

2.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制造方法，其中还包括在该衬底的所述第一表面上形成加热元件及驱动电路。

3.如权利要求2所述的独石流体喷射装置的制造方法，其中该图案化牺牲层覆盖该加热元件。

4.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制造方法，其中该图案化牺牲层包括多晶硅、磷硅玻璃或高分子聚合物。

5.如权利要求4所述的独石流体喷射装置的制造方法，其中该高分子聚合物为光致抗蚀剂。

6.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制造方法，其中该图案化保护层包括氮化硅、氧化硅、多晶硅或高分子聚合物。

7.如权利要求6所述的独石流体喷射装置的制造方法，其中该高分子聚合物为光致抗蚀剂。

8.如权利要求7所述的独石流体喷射装置的制造方法，其中该光致抗蚀剂为BREWER SCIENCE INC.制作的PSK^TM2000光致抗蚀剂。

9.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制造方法，其中该金属结构层包括镍、金、铜、银、铬或其合金。

10.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制造方法，其中该金属结构的厚度与该图案化光致抗蚀剂层的厚度相近。

11.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制造方法，其中在形成该喷口后，还包括在该金属结构层上形成化学稳定的金属薄膜。

12.如权利要求11所述的独石流体喷射装置的制造方法，其中该化学稳定的金属薄膜为金或其合金。

13.如权利要求12所述的独石流体喷射装置的制造方法，其中形成该化学稳定的金属薄膜的方式包括电镀或无电镀法。

14.如权利要求2所述的独石流体喷射装置的制造方法，其中该加热元件为金属。

15.如权利要求2所述的独石流体喷射装置的制造方法，其中该驱动电路为金属氧化物半导体。

16.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制造方法，还包括通过蚀刻该衬底的所述第二表面，在该衬底中形成流体通道，从而露出该图案化牺牲层。

17.如权利要求16所述的独石流体喷射装置的制造方法，还包括移除该图案化牺牲层，从而形成流体腔，且该流体腔与该喷孔及该流体通道连通。

18.一种独石流体喷射装置，包括：

衬底，具有第一表面，且该衬底中具有流体通道；

保护层，形成于该衬底的该第一表面上；

电镀起始层，形成于该保护层上方；

金属结构层，形成于该电镀起始层上，该金属结构层与该衬底的该第一表面间形成流体腔，且该保护层与该金属结构层中具有喷孔，与该流体腔连通。

19.如权利要求18所述的独石流体喷射装置，其中还包括在该衬底的该第一表面上形成加热元件及驱动电路。

20.如权利要求19所述的独石流体喷射装置，其中该加热元件位于流体腔中。

21.如权利要求18所述的独石流体喷射装置，其中该保护层包括氮化硅、氧化硅、多晶硅或高分子聚合物。

22.如权利要求21所述的独石流体喷射装置，其中该高分子聚合物为光致抗蚀剂。

23.如权利要求18所述的独石流体喷射装置，其中该保护层的厚度范围介于3000～4000。