[发明专利]记忆体动态管理方法有效
| 申请号: | 200610079098.X | 申请日: | 2006-04-29 |
| 公开(公告)号: | CN101064195A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
| 发明(设计)人: | 许昌伟;吴濬杰 | 申请(专利权)人: | 宇瞻科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G11C29/52 | 分类号: | G11C29/52 |
| 代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 记忆体 动态 管理 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种记忆体动态管理方法,特别是涉及一种应用于一随身碟,具有可动态调整可携式储存装置的记忆体保留区与资料区的记忆空间大小功效,可动态地管理记忆体,能够使记忆体管理最佳化的记忆体动态管理方法。
背景技术
快闪记忆体(以下称FLASH)被广泛应用在可携式储存装置(例如USB随身碟及各式记忆卡)中。请参阅图1所示,是一说明现有习知的一可携式储存装置的储存空间规划的示意图,以具有128M储存空间1的可携式储存装置(图中未示)为例,其储存空间1内含1024个区块(block)11(区块0~区块1023,每个区块128kBytes),并由该等区块中分割出一保留区2及一资料区3。其中保留区2包括区块0至区块31。资料区3包括区块32至区块1023。保留区2是保留做为储存坏轨(bad block)或是密码等等功能运算的区域,或作为储存可携式储存装置出厂时已坏掉的区块资料以及未来使用上可能会陆续增加的坏轨资料的存放区。资料区3才是真正规划让使用者存放资料的区域。保留区2越大,所能允许的坏轨数量就越多,随身碟能使用的寿命就越长,但是相对的,资料区3就越小,使用者能使用的资料储存空间就被缩减,反之亦然。
现有传统的可携式储存装置的记忆体规划问题在于保留区2所占的区块数是一开始就订死的,但随着随身碟使用次数的增加,可能会产生越来越多的坏轨,一旦保留区2可用的区块数被用完,该可携式储存装置就无法再被使用了。
由此可见,上述现有的可携式储存装置的规划管理方法在方法与使用上,显然仍存在有不便与缺陷,而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题,相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道,但长久以来一直未见适用的设计被发展完成,而一般管理方法又没有适切的方法能够解决上述问题,此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的记忆体动态管理方法,便成了当前业界极需改进的目标。
有鉴于上述现有的可携式储存装置的规划管理方法存在的缺陷,本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识,并配合学理运用,积极加以研究创新,以期创设一种新的记忆体动态管理方法,能改进现有的可携式储存装置的规划管理方法,使其更具有实用性。经过不断研究、设计,并经反复试作及改进后,终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的目的在于,克服现有的可携式储存装置的规划管理方法存在的缺陷,而提供一种可动态调整可携式储存装置的记忆体保留区与资料区的记忆空间大小的新的记忆体动态管理方法,从而更加适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种记忆体动态管理方法,其是适用于一可携式储存装置,该可携式储存装置包括一以快闪记忆体为主的第一储存单元及一第二储存单元,该第一储存单元包括一用以存放坏轨的保留区,该第二储存单元具有一使用模式对照表,该使用模式对照表具有n级使用模式,该n为正整数;其中各该级定义有该保留区的最大容许坏轨量,该保留区具有一记录目前使用模式的标签,该记忆体动态管理方法包括下列步骤:a.读取该可携式储存装置的使用模式对照表,检查目前该标签的使用模式为第k级,以确认该保留区的最大容许坏轨数量,其中1≤k≤n;b.读取该保留区中的坏轨数量;以及c.当该保留区中的坏轨数量大于该第k级模式定义的最大容许坏轨量时,更进一步检查k是否等于n,若否,修改使用模式,使记录坏轨的标签由第k级改至第k+1级。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的记忆体动态管理方法,其中所述的第二储存单元更包括一对应转换表,可将该计算机(即电脑)写入的位址转换至可携式储存装置中对应的位址,以及在步骤c之后更包括一步骤d:更新对应转换表。
前述的记忆体动态管理方法,其中所述的步骤a之前更包括下列前置步骤:根据一算式定义初始使用模式操作级,其中该使用模式操作级x=(坏轨数+5)/8,其中1≤x≤n,且x为无条件进位的正整数。
前述的记忆体动态管理方法,其中所述的步骤a之前更包括一建立一对应转换表的步骤。
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