[发明专利]化学气相沉积设备的清洁方法

权利要求书

1.一种沉积设备的清洁方法，包括：

将含氟的清洁气体导入该沉积设备中，其中该沉积设备包含有圆顶罩，该圆顶罩的表面附着沉积残留物；

使该含氟的清洁气体在该沉积设备中维持在第一压力状态下；

提供RF功率，以点燃该沉积设备中的该含氟的清洁气体，产生等离子体气体；

形成该等离子体气体后，使该等离子体气体在该沉积设备中维持预定时间，并达到第一温度，进行该沉积设备的第一阶段的内部清洁；

在该圆顶罩顶部的表面被暴露出来之前，关掉该RF功率，以停止产生该等离子体气体；以及

将含有氟自由基的远端等离子体气体，自远端等离子体供应设备，导入处于该第一温度下的该沉积设备中，进行第二阶段的内部清洁。

2.如权利要求1所述的沉积设备的清洁方法，其中该含氟的清洁气体包括三氟化氮。

3.如权利要求1所述的沉积设备的清洁方法，其中该第一压力状态介于3-15托之间。

4.如权利要求1所述的沉积设备的清洁方法，其中该第一压力状态介于0.1-15托之间。

5.如权利要求1所述的沉积设备的清洁方法，其中在使该含氟的清洁气体在该沉积设备中维持在该第一压力状态之后，该清洁方法还包括以下步骤：

将该沉积设备中的压力改变至第二压力状态，且该第二压力状态不等于该第一压力状态。

6.如权利要求1所述的沉积设备的清洁方法，其中该第一温度大于100℃。

7.一种清洁化学气相沉积机台的方法，该化学气相沉积机台包括机台底座，其又至少包括晶片承座以及保护环、圆顶罩安装在该机台底座上，以形成沉积室，其中该圆顶罩的表面附着沉积残留物，该沉积室周围设置有多支第一进气导管，将气体由侧边方向通入该沉积室，以及多支第二进气导管，指向该圆顶罩顶部，该方法包括：

将含氟的清洁气体经由该第一进气导管以及该第二进气导管导入该沉积室中；

使该含氟的清洁气体在该沉积室中维持在第一压力状态下；

提供RF功率，以点燃该沉积室中的该含氟的清洁气体，产生等离子体气体；

形成该等离子体气体后，使该等离子体气体在该沉积室中维持预定时间，并达到第一温度，进行该沉积设备的第一阶段的内部清洁；

在该圆顶罩顶部的表面被暴露出来之前，关掉该RF功率，以停止产生该等离子体气体；以及

在未将沉积室抽真空的情况下，直接将含有氟自由基的远端等离子体气体，自远端等离子体供应设备，经由该第一进气导管导入处于该第一温度下的该沉积室中，进行第二阶段的内部清洁。

8.如权利要求7所述的清洁化学气相沉积机台的方法，其中该含氟的清洁气体包括三氟化氮。

9.如权利要求7所述的清洁化学气相沉积机台的方法，其中该第一压力状态介于3-15托之间。

10.如权利要求7所述的清洁化学气相沉积机台的方法，其中该第一压力状态介于0.1-15托之间。

11.如权利要求7所述的清洁化学气相沉积机台的方法，其中在使该含氟的清洁气体在该沉积室中维持在该第一压力状态之后，该方法还包括以下步骤：

将该沉积室中的压力改变至第二压力状态，且该第二压力状态不等于该第一压力状态。

12.如权利要求7所述的清洁化学气相沉积机台的方法，其中该第一温度大于100℃。

13.如权利要求7所述的清洁化学气相沉积机台的方法，其中该RF功率在该圆顶罩的内壁被暴露出来之前即被关掉。

14.如权利要求7所述的清洁化学气相沉积机台的方法，其中该圆顶罩是由石英或者陶瓷材料所构成。