[发明专利]半导体发光装置

权利要求书

1.一种半导体发光装置，包含：

发光结构，包含：

发光层，位于n型半导体层与p型半导体层之间；

透光基板，具有相对的第一表面与第二表面，该第一表面较该第二表面接近该发光层；及

透光载体，用以承载该发光结构，并可与该发光结构相区别，该透光载体具有相对的第三表面与第四表面，该第三表面较该第四表面接近该发光层；

其中，该第三表面的面积不小于该第一表面与该第二表面中任一者的面积，该第四表面与该发光层的面积的比值不小于1.6。

2.如权利要求1所述的半导体发光装置，还包括：

第一结合层，用以结合该发光层与该透光基板。

3.如权利要求1所述的半导体发光装置，还包括：

第二结合层，用以结合该发光结构与该透光载体。

4.如权利要求2或3所述的半导体发光装置，其中该第一结合层与该第二结合层的材料分别择自SOG、硅树脂、BCB、环氧树脂、聚亚酰胺、及PFCB所构成的组。

5.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该第一表面的面积不小于该发光层的面积。

6.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该第二表面的面积不小于该发光层的面积。

7.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该第四表面的面积大于该第三表面的面积。

8.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该第四表面的面积大于该第三表面的面积，该第三表面的面积大于该第二表面的面积，该第二表面的面积大于该第一表面的面积。

9.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该第二表面的面积大于该第一表面的面积，该第四表面的面积大于该第三表面的面积，且第二表面与第三表面的面积实质上相同。

10.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该第一表面的面积大于该第二表面的面积。

11.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该第三表面未为该发光结构覆盖的部分包含不平整表面。

12.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该第三表面未为该发光结构覆盖的部分包含粗糙表面。

13.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该发光结构还包括电极，位于该发光结构相对于该透光载体的一侧。

14.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该发光结构还包括二个电极，位于该发光结构的同一侧，并分别电连接至该n型半导体层与该p型半导体层。

15.如权利要求13或14所述的半导体发光装置，其中该发光结构与该电极相邻且未为该电极覆盖的表面包含不平整表面。

16.如权利要求13或14所述的半导体发光装置，其中该发光结构与该电极相邻且未为该电极覆盖的表面包含粗糙表面。

17.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该透光载体为平截头体。

18.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该透光载体还包括弧形侧表面。

19.如权利要求1所述的半导体发光装置，还包括：

反射体，位于该透光载体相对于该发光结构的一侧，并用以反射行经该透光载体内部的光。

20.如权利要求1所述的半导体发光装置，还包括：

基座，用以支撑该透光载体；

荧光材料，用以转换该发光层所发出的光的波长；及

封装材料，覆盖于该发光结构之上。

21.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该透光基板与该透光载体的热膨胀系数的差值不大于10×10^-6/℃。

22.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该透光基板的材料择自蓝宝石、SiC、GaP、GaAsP、ZnSe、与CVD钻石所构成的组。

23.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该透光载体的材料择自蓝宝石、SiC、GaP、GaAsP、ZnSe、钻石、与CVD钻石所构成的组。