[发明专利]一种TFT LCD阵列基板及其制造方法

权利要求书

1、一种TFTLCD阵列基板，包括：基板、形成于基板上栅线和栅电极、形成于栅电极上的绝缘介质层、有源层和欧姆接触层、透明像素电极层、源漏电极、数据线、及钝化层，其特征在于：所述欧姆接触层具体为微晶硅材料层，透明像素电极层位于微晶硅材料层的上方并与微晶硅材料层欧姆接触，数据线和源漏电极形成于透明像素电极层的上方。

2、根据权利要求1所述的一种TFT LCD阵列基板，其特征在于：所述栅线和栅电极具体为AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr的单层膜，或者为AlNd、Al、Cu、Mo、MoW和Cr任意组合所构成的复合膜。

3、根据权利要求1所述的一种TFT LCD阵列基板，其特征在于：所述绝缘介质层具体为SiNx、SiOx或SiOxNy的单层膜，或者为SiNx、SiOx、SiOxNy任意组合所构成的复合膜。

4、根据权利要求1所述的一种TFT LCD阵列基板，其特征在于：所述源漏电极具体为Mo、MoW或Cr的单层膜，或者为Mo、MoW、Cr任意组合所构成的复合膜。

5、一种TFT LCD阵列基板的制造方法，其特征在于：包括：

步骤一，采用磁控溅射工艺在基板上沉积一个栅极金属层，进行掩膜和刻蚀，得到栅线和栅电极；

步骤二，采用化学气相沉积法在完成步骤一的基板上沉积一个绝缘介质层，一个有源层，一个欧姆接触层，进行掩膜和刻蚀，形成薄膜晶体管部分；

步骤三，采用磁控溅射工艺在完成步骤二的基板上沉积一个透明像素电极层，一个源漏电极金属层，用灰色调掩膜板进行掩膜并刻蚀，形成透明像素电极、源漏电极和薄膜晶体管部分沟道部分；

步骤四，采用化学气相沉积法在完成步骤三的基板上沉积一个钝化层，进行掩膜和刻蚀，形成过孔并对沟道形成保护，同时露出绑定引线。

6、根据权利要求5所述的一种TFT LCD阵列基板的制造方法，其特征在于：所述步骤三中采用灰色调掩膜板进行掩模时，使掩膜板半透光部分对应透明像素电极部分，掩膜板不透光部分对应源漏电极及数据线部分，掩膜板完全透光部分对应其余部分。

7、根据权利要求5所述的一种TFT LCD阵列基板的制造方法，其特征在于：所述步骤二中沉积的欧姆接触层具体为微晶硅材料层。

8、根据权利要求5所述的一种TFT LCD阵列基板的制造方法，其特征在于：所述步骤三中所述透明像素电极层和源漏电极金属层是在相同或不同设备中连续进行沉积。

9、根据权利要求5至8任一所述的一种TFT LCD阵列基板的制造方法，其特征在于：所述步骤一中沉积栅极金属层具体为沉积AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr的单层膜，或者沉积AlNd、Al、Cu、Mo、MoW和Cr中的任意组合所构成的复合膜。

10、根据权利要求5至8任一所述的一种TFT LCD阵列基板的制造方法，其特征在于：所述步骤二中沉积绝缘介质层具体为沉积SiNx、SiOx或SiOxNy的单层膜，或者沉积SiNx、SiOx、SiOxNy任意组合所构成的复合膜。

11、根据权利要求5至8任一所述的一种TFT LCD阵列基板的制造方法，其特征在于：所述步骤三中沉积源漏电极金属层具体为沉积Mo、MoW或Cr的单层膜，或者沉积Mo、MoW、Cr任意组合所构成的复合膜。