[发明专利]整合于半导体集成电路结构的变压器的制作方法

权利要求书

1.一种整合于半导体集成电路结构的变压器的制作方法，包括以下步骤：

提供基底；

于该基底上同时形成顶层金属内连线层与主绕组层；

于该基底表面形成绝缘层，该绝缘层覆盖该主绕组层与该顶层金属内连线层，且该绝缘层具有多个开口，暴露出部分该顶层金属内连线层；以及

于该绝缘层上同时形成副绕组层与至少一个金属焊垫，且该金属焊垫通过该些开口与该顶层金属内连线层电连接。

2.如权利要求1所述的方法，其中该基底还包括有源电路以及至少一金属内连线层设于该基底上。

3.如权利要求1所述的方法，其中该绝缘层的厚度为100-500埃。

4.如权利要求1所述的方法，其中该顶层金属内连线层与该主绕组层是通过实施铜工艺而同时形成于该基底上。

5.如权利要求1所述的方法，其中该副绕组层的材料包括钛、氧化钛、铝或上述金属的合金。

6.如权利要求1所述的方法，其中该主绕组层与该副绕组层分别具有线圈图案。

7.如权利要求6所述的方法，其中该主绕组层与该副绕组层的线圈图案为部分重叠。

8.如权利要求7所述的方法，其中该主绕组层与该副绕组层的线圈图案为共轴。

9.如权利要求6所述的方法，其中该主绕组层的线宽小于该副绕组层的线宽。

10.如权利要求1所述的方法，还包括于该基底上形成保护层的步骤，该保护层覆盖该副绕组层并暴露出该金属焊垫。

11.如权利要求10所述的方法，其中该保护层的材料包括氮化硅。

12.一种整合于半导体集成电路结构的变压器，包括：

基底；

主绕组层与顶层金属内连线层设置于该基底上；

绝缘层，设置于该主绕组层与该顶层金属内连线层上，且该绝缘层具有多个开口暴露出部分该顶层金属内连线层；以及

副绕组层与至少一个金属焊垫，该副绕组层与该金属焊垫分别设置于该绝缘层上与该顶层金属内连线层上，且该金属焊垫通过该些开口电连接至该顶层金属内连线层；

其中，该主绕组层与该副绕组层构成该变压器，

该主绕组层与该顶层金属内连线层整合于同一水平面，

该副绕组层与该金属焊垫整合于同一水平面。

13.如权利要求12所述的整合于半导体集成电路结构的变压器，其中该基底还包括有源电路与至少一金属内连线层。

14.如权利要求12所述的整合于半导体集成电路结构的变压器，其中该绝缘层的厚度为100～500埃。

15.如权利要求12所述的整合于半导体集成电路结构的变压器，其中该主绕组层的材料包括铜。

16.如权利要求12所述的整合于半导体集成电路结构的变压器，其中该副绕组层的材料包括钛、氧化钛、铝或上述金属的合金。

17.如权利要求12所述的整合于半导体集成电路结构的变压器，其中该主绕组层与该副绕组层分别具有一线圈图案。

18.如权利要求17所述的整合于半导体集成电路结构的变压器，其中该主绕组层与该副绕组层的线圈图案为部分重叠。

19.如权利要求18所述的整合于半导体集成电路结构的变压器，其中该主绕组层与该副绕组层的线圈图案为共轴。

20.如权利要求17所述的整合于半导体集成电路结构的变压器，其中该主绕组层的线宽小于该副绕组层的线宽。

21.如权利要求12所述的整合于半导体集成电路结构的变压器，还包括保护层，覆盖该副绕组层，并暴露出该金属焊垫。

22.如权利要求21所述的整合于半导体集成电路结构的变压器，其中该保护层的材料包括氮化硅。