[发明专利]用于离子注入机中的高压保护联锁有效
| 申请号： | 200610066991.9 | 申请日： | 2006-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN101051609A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 唐景庭;孙雪平;彭立波;何科峰 | 申请（专利权）人： | 北京中科信电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01J37/317;C30B31/22;H01H9/20;H01H9/22;G01R19/155;G01R19/165 |
| 代理公司： | 北京中海智圣知识产权代理有限公司 | 代理人： | 昝美琪;张占榜 |
| 地址： | 100036北京市海淀区复兴路*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 离子 注入 中的 高压 保护 联锁 | ||
1.一种用于离子注入机中的高压保护联锁，包括高压保护联锁继电器和与其串联的高压警示灯，其特征在于，它还包括：
多个门控开关，用于使各机房门关闭—锁上或开锁—打开的可控开关；
多套门控继电器，与相对应的多个门控开关串联，串联在一起的各套门控继电器与所述的高压保护联锁继电器串联；
高压电源供电交流接触器，与所述的高压保护联锁继电器串联，以及光电隔离控制元件，与高压电源供电交流接触器串联；
多个门状态指示灯，与相对应的所述多套门控继电器串联。
2.如权利要求1所述的用于离子注入机中的高压保护联锁，其特征在于，所述的多套门控继电器的每一套的第一组触点的公共端接地，其第一组触点的常开触点分别接到控制器的输入端口。
3.如权利要求1或2所述的用于离子注入机中的高压保护联锁，其特征在于，所述的多个门状态指示灯分别串联到相对应的多套门控继电器的第一组触点的常闭触点。
4.如权利要求1所述的用于离子注入机中的高压保护联锁，其特征在于，所述的高压保护联锁继电器的线包与串联后的多套门控继电器的第二组触点的常开触点串联。
5.如权利要求5所述的用于离子注入机中的高压保护联锁，其特征在于，所述的高压保护联锁继电器还具有多对常开触点，其中一对常开触点与高压电源供电交流接触器串联，一对或多对常开触点用于串联高压警示灯。
6.如权利要求1所述的用于离子注入机中的高压保护联锁，其特征在于，所述的高压电源供电交流接触器的线包与高压保护联锁继电器的一对常开触点串联。
7.如权利要求1所述的用于离子注入机中的高压保护联锁，其特征在于，所述的光电隔离控制元件是光控双向可控硅，用于控制高压电源供电交流接触器的通断。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中科信电子装备有限公司，未经北京中科信电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610066991.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
