[发明专利]多组件陶瓷坩埚及其制造方法有效
申请号: | 200610064728.6 | 申请日: | 2006-11-30 |
公开(公告)号: | CN101092735A | 公开(公告)日: | 2007-12-26 |
发明(设计)人: | Y·莫里卡瓦;K·卡瓦萨基;S..-J.黄;M·谢普肯斯 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | C30B15/10 | 分类号: | C30B15/10;C30B23/06;C23C14/24;C23C16/00;F27B14/10 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨松龄 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 组件 陶瓷 坩埚 及其 制造 方法 | ||
1、一种用于制造半导体材料晶体的坩埚,该坩埚包括:
一封闭端,一开口端,一自开口端沿伸至封闭端的长度;
自开口端沿伸至封闭端长度间的圆周;内表面和外表面;
其中
该坩埚包括至少两个构件,底部构件和顶部构件,在圆周上连在一起形成接头;
该坩埚在至少内表面的一部分或外表面的一部分具有涂层,用于通过密封接头固定连接构件。
2、根据权利要求1的坩锅,其中至少两个构件中的每一个有为两构件在接头处彼此邻接的相等的圆周。
3、根据权利要求1的坩锅,其中至少两个构件中的每一个有为两构件在接头处彼此覆盖的不同的圆周。
4、根据权利要求1-3中任一项的坩埚,其中涂层包含热解氮化硼或热解石墨。
5、根据权利要求1-4中任一项的坩埚,其中该涂层包括覆盖坩埚外表面、具有0.005mm到0.025mm的厚度的热解石墨,以便密封至少两个构件之间的接头。
6、根据权利要求1-5中任一项的坩埚,其中涂层覆盖坩埚整个外表面。
7、根据权利要求1-5中任一项的坩埚,其中涂层覆盖坩埚至少两个构件之间的接头和至少部分坩埚外表面。
8、根据权利要求1-5中任一项的坩埚,其中该至少两个构件由在制造半导体材料晶体的工艺中为惰性、耐腐蚀且热稳定的材料制成。
9、根据权利要求1-8中任一项的坩埚,其中该至少两个构件由热解氮化硼制成。
10、根据权利要求1-9中任一项的坩埚,其中涂层包括热解石墨连续表面,用于接收RF信号并以比没有热解石墨涂层的坩埚至少少10%的时间将该坩埚加热到至少1450℃温度。
11、根据权利要求1-10中任一项的坩埚,其中将涂层图案化成预定几何构型,该涂层具有适宜形成用来接收DC或AC电流以加热坩埚的至少一个电极的至少两个独立端面。
12、根据权利要求1-11中任一项的坩埚,其中底部构件基本为圆柱形状,并且顶部构件基本为圆锥形状。
13、根据权利要求1-12中任一项的坩埚,其中坩埚具有0.03厘米至0.23厘米厚的基本一致的壁厚。
14、一种从至少两个构件制备单一体坩埚的方法,该方法包括步骤:
通过自氮源气体和硼源气体的气态化合物的化学汽相沉积在具有与至少两个坩埚构件的内腔相一致的外形的至少两个不同的石墨型芯上沉积热解氮化硼,
移走石墨型芯以形成包含氮化硼的至少两个构件,每个构件都有一圆周;
将至少两个构件沿圆周连接在一起,形成具有外表面的坩埚;
为密封两个构件之间的接头,通过化学汽相沉积在接头表面沉积涂层。
15、根据权利要求14的方法,其中为密封两个构件之间的接头,通过自气态烃化合物的化学汽相沉积在至少两个构件的接头表面沉积热解石墨涂层。
16、根据权利要求14的方法,其中为密封两个构件之间的接头,通过化学汽相沉积在至少两个构件的接头表面沉积热解氮化硼涂层。
17、根据权利要求15的方法,进一步包括步骤:
模制热解石墨涂层以形成预定几何构型,并且为接收DC或AC电流来加热坩埚,给模制热解石墨层配备适宜形成至少一个电极的至少两个独立端面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通用电气公司,未经通用电气公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610064728.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。