[发明专利]星型双回转磁控溅射导电玻璃镀膜生产线及生产工艺

权利要求书

1.星型双回转磁控溅射ITO导电玻璃镀膜生产线，其特征是：包括A面进出片室、B面进出片室、A面旋转真空室、B面旋转真空室、A面第一溅射工作室、B面第一溅射工作室、中间连接室、A面旋转回架装置、B面旋转回架装置；所述A面进出片室、A面第一溅射工作室分别与所述A面旋转真空室相衔接；所述B面进出片室、B面第一溅射工作室分别与所述B面旋转真空室相衔接；所述中间连接室二端分别与所述A面旋转真空室、B面旋转真空室相衔接。

2.如权利要求1所述的生产线，其特征是：还包括A面第二溅射工作室，与所述A面旋转真空室相衔接。

3.如权利要求1所述的生产线，其特征是：还包括B面第二溅射工作室，与所述B面旋转真空室相衔接。

4.如权利要求1-3中任一项所述的生产线，其特征是：所述中间连接室包括第一通道、第二通道，所述第一通道包括相衔接的预热室、镀膜室、过渡室，所述第二通道包括相衔接的预热室、镀膜室、过渡室；所述二通道并行反向、分别连接于所述A面旋转真空室、B面旋转真空室之间。

5.如权利要求1-3中任一项所述的生产线，其特征是：还包括A面旋转回架装置、B面旋转回架装置，所述A面旋转回架装置与所述A面进出片室相衔接，所述B面旋转回架装置与所述B面进出片室相衔接。

6.星型双回转磁控溅射ITO导电玻璃镀膜生产工艺，其特征是，包括二个相互独立、同时运行、方向相反的流程：A基片载体依次经A面回架旋转装置、A面进出片室、A面旋转真空室、预热室、A面旋转真空室、中间连接室、B面旋转真空室、B面溅射工作室、B面旋转真空室、B面进出片室、B面回架旋转装置，完成ITO镀膜；B基片载体依次经B面回架旋转装置、B面进出片室、B面旋转真空室、预热室、B面旋转真空室、中间连接室、A面旋转真空室、A面溅射工作室、A面旋转真空室、A面进出片室、A面回架旋转装置，完成ITO镀膜。

7.如权利要求6所述的生产工艺，其特征是：所述A面溅射工作室包括A面第一溅射工作室、A面第二溅射工作室，可实现对基片载体的多次溅射ITO镀膜。

8.如权利要求6所述的生产工艺，其特征是：所述B面溅射工作室包括B面第一溅射工作室、B面第二溅射工作室，可实现对基片载体的多次溅射ITO镀膜。

9.如权利要求6-8中任一项所述的生产工艺，其特征是：所述中间连接室设有第一通道、第二通道，该二通道设置有镀膜室，实现对所述基片的镀膜处理。

10.如权利要求9所述的生产工艺，其特征是：所述镀膜室实现二氧化硅镀膜或银镀膜。