[发明专利]背光开路保护电路

权利要求书

1.一种背光开路保护电路，包括：

至少两个背光灯开路检测电路，每一背光灯开路检测电路包括一背光灯管和一检测输出端；

一脉宽调变集成电路，其包括一电流采样端，当该电流采样端被拉为低电压时，该脉宽调变集成电路停止工作；

一控制开关，该控制开关包括一第一晶体管，该第一晶体管的源极接地，漏极连接到该脉宽调变集成电路的电流采样端，栅极连接到一电源；

一输入电路；

其特征在于：该输入电路包括：

至少两个第一二极管；

至少两个输入电阻；

至少两个第一滤波电容；

一第一偏置电阻；

一第二晶体管；和

一峰值检波电路，其包括一第二二极管、一第二滤波电容和一第二偏置电阻；

该第一二极管的正极连接到该第二二极管的正极，且第一二极管与该第二二极管之间的一电路节点经由该第一偏置电阻连接到该电源，每一第一二极管的负极经由该第一滤波电容接地，且每一第一二极管的负极分别串联一输入电阻后连接到一检测输出端，该第二二极管的负极连接到该第二晶体管的栅极，且分别经由该第二滤波电容和第二偏置电阻接地，该第二晶体管的源极接地，该第二晶体管的漏极连接到该第一晶体管的栅极。

2.如权利要求1所述的背光开路保护电路，其特征在于：该背光开路保护电路进一步包括一限流电阻，该第一晶体管的栅极经由该限流电阻连接到该电源。

3.如权利要求2所述的背光开路保护电路，其特征在于：该限流电阻的电阻值为180KΩ。

4.如权利要求1所述的背光开路保护电路，其特征在于：该第一和第二晶体管为N型通道耗尽型金属氧化物半导体场效晶体管。

5.如权利要求1所述的背光开路保护电路，其特征在于：该第一和第二晶体管为NPN型双极晶体管。

6.如权利要求1所述的背光开路保护电路，其特征在于：该输入电阻、第一偏置电阻和第二偏置电阻的电阻值分别为100KΩ、10KΩ、470KΩ。

7.如权利要求1所述的背光开路保护电路，其特征在于：该第一滤波电容和第二滤波电容的电容值皆为0.1μFΩ。

8.如权利要求1所述的背光开路保护电路，其特征在于：该背光开路保护电路进一步包括一充电电容，该第二晶体管的漏极经由该充电电容接地。

9.如权利要求1所述的背光开路保护电路，其特征在于：该电源为一5V直流电源。

10.如权利要求1所述的背光开路保护电路，其特征在于：该背光灯管是冷阴极荧光灯管。