[发明专利]三极型场发射像素管无效

专利信息
申请号: 200610061946.4 申请日: 2006-08-02
公开(公告)号: CN101118831A 公开(公告)日: 2008-02-06
发明(设计)人: 杨远超;魏洋;刘亮;姜开利;范守善 申请(专利权)人: 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
主分类号: H01J31/12 分类号: H01J31/12;H01J31/15;H01J63/00;H01J29/02;H01J29/04;H01J1/304;H01J1/46;H01J29/94
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摘要:
搜索关键词: 三极 发射 像素
【权利要求书】:

1.一种三极型场发射像素管,其包括:一个中空壳体,一个荧光物质层,一个阳极层,一个阴极发射体和一个栅极体,该壳体具有一个出光部,该荧光物质层和阳极层依次形成在该出光部的内壁上,该阴极发射体设置在中空壳体内部与出光部相对的位置,该栅极体位于中空壳体内并靠近阴极发射体设置,其特征在于,该阴极发射体包括一个碳纳米管线,该碳纳米管线作为电子发射源。

2.如权利要求1所述的三极型场发射像素管,其特征在于,该中空壳体内部是真空密封的。

3.如权利要求1所述的三极型场发射像素管,其特征在于,该栅极体是一个中空柱体,该中空柱体具有一顶面及至少一个从顶面延伸出的侧面,该阴极发射体位于栅极体内,且该中空柱体的底面具有一个开口,该开口正对于阴极发射体的碳纳米管线。

4.如权利要求3所述的三极型场发射像素管,其特征在于,该栅极体的横截面为圆形,椭圆形或多边形。

5.如权利要求3所述的三极型场发射像素管,其特征在于,还进一步包括一个栅极电极,该栅极电极与所述栅极体电连接,且该栅极电极穿过所述壳体延伸至壳体外部。

6.如权利要求1所述的三极型场发射像素管,其特征在于,还进一步包括一个阳极电极,该阳极电极与所述阳极层电连接,且该阳极电极穿过所述壳体延伸至壳体外部。

7.如权利要求1所述的三极型场发射像素管,其特征在于,还进一步包括一个阴极电极,该阴极电极与所述阴极发射体电连接,且该阴极电极穿过所述壳体延伸至壳体外部。

8.如权利要求1所述的三极型场发射像素管,其特征在于,该阴极发射体进一步包括一个阴极支撑柱,该阴极支撑柱由金属丝制成。

9.如权利要求1所述的三极型场发射像素管,其特征在于,该阳极层为铝膜。

10.如权利要求1所述的三极型场发射像素管,其特征在于,进一步包括吸气剂层,该吸气剂层形成于壳体内壁上。

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