[发明专利]二极型场发射像素管有效
| 申请号： | 200610061416.X | 申请日： | 2006-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101097829A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 杨远超;魏洋;刘亮;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01J31/12 | 分类号： | H01J31/12;H01J63/00;H01J29/86;H01J29/02;H01J29/04;H01J1/63;H01J1/304;H01J7/18;C01B31/00;B82B1/00 |
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| 地址： | 100084北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二极 发射 像素 | ||
1.一种二极型场发射像素管，其包括：
一个中空壳体，该壳体具有一个出光部，该出光部的内壁依次涂敷有荧光物质和阳极层，其特征在于：所述壳体内部是真空密封的，并且该壳体内部与该出光部相对处有一个阴极发射体，该阴极发射体包括一阴极支撑柱以及设置于该阴极支撑柱尖端的碳纳米线，该阴极支撑柱垂直于所述出光部。
2.如权利要求1所述的二极型场发射像素管，其特征在于，该壳体为中空圆柱体。
3.如权利要求1所述的二极型场发射像素管，其特征在于，该壳体为玻璃或石英石。
4.如权利要求1所述的二极型场发射像素管，其特征在于，该阳极层为铝膜。
5.如权利要求1所述的二极型场发射像素管，其特征在于，进一步包括一个阳极电极，该阳极电极与所述阳极层电连接，该阳极电极穿过所述壳体延伸至该壳体外部。
6.如权利要求1所述的二极型场发射像素管，其特征在于，进一步包括一个阴极电极，该阴极电极与所述阴极发射体电连接，该阴极电极穿过所述壳体延伸至该壳体外部。
7.如权利要求1所述的二极型场发射像素管，其特征在于，该荧光物质选自白色荧光粉和彩色荧光粉。
8.如权利要求1所述的二极型场发射像素管，其特征在于，该阴极支撑柱为金属丝。
9.如权利要求1所述的二极型场发射像素管，其特征在于，进一步包括吸气剂，该吸气剂形成于靠近阴极发射体的壳体内壁上。
10.如权利要求1所述的二极型场发射像素管，其特征在于，该碳纳米线长度为0.1毫米至10毫米，该纳米线直径为1微米至1毫米。
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