[发明专利]镍锌铁氧体低温高密度制造方法及其制成品

说明书

技术领域

本发明涉及高磁导率镍锌(NiZn)铁氧体及其制造方法，尤其是可 低温烧结的高磁导率镍锌铁氧体制造方法及其铁氧体材料。

背景技术

高磁导率NiZn铁氧体磁芯能有效地吸收电磁干扰信号，以达到抗电 磁干扰的目的。随着电子产品向高频、高速、高组装密度发展，在各种 电子、电力线路中必须采用抗EMI磁芯，高磁导率NiZn铁氧体磁芯由于 具有双重优点，从而可以大大缩小器件体积，并可提高工作频率。

高磁导率NiZn铁氧体的烧结温度一般在1050～1200℃，在相同配方 条件下，要得到高的磁导率必须使磁芯烧结体具有高烧结密度。高的烧 结温度虽然能实现高的烧结密度，得到高磁导率，但它对其它特性却会 起到恶化作用，如饱和磁感应强度等关键性指标。同时为得到高磁导率， 配方的调整过程中必须降低居里温度，而目前的高导镍锌铁氧体的居里 温度已经接近临界点，不能再下降了。

发明内容

针对现有技术存在的上述问题，本发明要解决的技术问题是提供一 种镍锌铁氧体低温高密度制造方法，只需配合比现有技术低约200℃的烧 结温度，就可实现5.2g/cm³以上的高密度，提高磁导率，同时还能提高 居里温度和饱和磁感应强度。同时，本发明要解决的另一技术问题是采 用上述低温高密度制造方法来提供一种同时兼备高磁导率、高居里温度 和高饱和磁感应强度的镍锌铁氧体。

本发明的技术方案是：高磁导率镍锌铁氧体，其主成份是换算为 47.5～49.5mol％的Fe₂O₃，3.6～6.5mol％的CuO，30～35mol％的ZnO，其 余是NiO，除主成份外还有换算为0.01～0.4wt％的Ti₂O₅，0.01～0.5wt％ 的Bi₂O₃，0.01～0.5wt％的V₂O₅，0.01～0.5wt％的MoO₃，0.01～0.5wt％的 Cr₂O₃，0.01～0.5wt％的Nb₂O₅中的至少一种副成分。

作为优选，上述高磁导率镍锌铁氧体副成分还包括SiO₂、Ta₂O₅、ZrO₂、 Co₂O₃中的至少一种，每种含量为0.01～0.5wt％。

作为优选，上述高磁导率镍锌铁氧体副成分中至少包括0.01～ 0.5wt％的Bi₂O₃和0.01～0.5wt％的MoO₃这两种成份。

镍锌铁氧体低温高密度制造方法，它采用上述高磁导率镍锌铁氧体 的主、副成份，其成品经配料、混料、预烧、粉碎、造粒、成型、烧结 工序而制得，原料的副成份是在主成份预烧后掺入的。

作为优选，所述烧结工序的烧结温度为880～980℃。

本发明与现有技术相比具有的有益效果：本发明在掺杂时采用一种 以上的杂质进行掺杂，尤其是两种以上杂质复合掺杂，同时精确控制使 用量，烧结过程可以将烧结温度降低至少200℃，同时实现烧结密度达到 5.2g/cm³以上，其余升降温曲线基本保持不变，在复合添加的杂质的作用 下，有效增加了烧成品的密度，从而达到了高磁导率、高居里温度和高 饱和磁感应强度的目的。

说明书附图

图1：实施例A的烧结温度对成品密度影响关系图；

图2：实施例B的烧结温度对成品密度影响关系图；

图3：实施例C的烧结温度对成品密度影响关系图；

图4：比较例D的烧结温度对成品密度影响关系图；

图5：比较例E的烧结温度对成品密度影响关系图；

图6：实施例F的烧结温度对成品密度影响关系图；

图7：实施例G的烧结温度对成品密度影响关系图；

图8：比较例H的烧结温度对成品密度影响关系图；

图9：实施例I的烧结温度对成品密度影响关系图；

图10：实施例J的烧结温度对成品密度影响关系图；