[发明专利]一种高饱和磁通密度低损耗MnZn功率铁氧体及其制备方法

权利要求书

1.一种高饱和磁通密度低损耗MnZn功率铁氧体的制备方法，该方法由以下步骤组成：

(1)配料：采用主要成分按摩尔重量百分比为Fe₂O₃：51～53mol％；MnO：34～43mol％；ZnO：6～13mol％；进行称量，称重后在砂磨机中加入去离子水进行砂磨，砂磨的时间为30～80分钟；

(2)预烧：将上述经过砂磨后的成分进行预烧，预烧温度为750℃～980℃，预烧时间为1～9小时；

(3)二次砂磨：在上述预烧料中加入以下按重量百分比的辅助成分中的四种或四种以上：CaCO₃：0.01～0.07wt％；TiO₂：0.01～0.08wt％；SnO₂：0.01～0.07wt％；Nb₂O₃：0.01～0.06wt％；ZrO₂：0.01～0.09wt％；Co₂O₃：0.01～0.06wt％；然后将粉料加入去离子水后放入砂磨机中进行二次砂磨，二次砂磨时间为1～3小时；

(4)喷雾造粒和成型：将上述的二次砂磨料在喷雾塔中进行喷雾造粒，喷雾造粒制成粒径为50～200μm的颗粒；然后成型为具有一定形状的坯件；

(5)烧结：将上述成型后的坯件进行在1260—1350℃的温度范围下进行烧结，烧结后即形成高饱和磁通密度低损耗MnZn功率铁氧体；

制备过程中不添加SiO₂，直接利用原材料中的SiO₂和砂磨工艺中带入SiO₂来提高材料的电阻率。

2.根据权利要求1所述的一种高饱和磁通密度低损耗MnZn功率铁氧体的制备方法，其特征在于步骤(3)中所述粉料的粒度为1～1.18μm，二次砂磨料中SiO₂的重量百分含量为0.005～0.023wt％。

3.根据权利要求1-2之一所述的一种高饱和磁通密度低损耗MnZn功率铁氧体的制备方法，其特征在于步骤(4)中喷雾造粒时加入PVA和消泡剂，其中两者比例为20:1，所述的消泡剂为氨水、正辛醇中的一种。

4.根据权利要求1-2之一所述的一种高饱和磁通密度低损耗MnZn功率铁氧体的制备方法，其特征在于步骤(5)中所述的烧结过程在氧气和氮气的环境进行，其中氧分压的范围为：1～10％。