[发明专利]发光器件制造方法无效
| 申请号： | 200610039465.3 | 申请日： | 2006-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101055905A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 李贤宰 | 申请（专利权）人： | 南京LG同创彩色显示系统有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄威;张金海 |
| 地址： | 201206江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种发光器件制造方法，其特征在于，包括如下几个阶段：
第一阶段：蓝宝石基板上形成氮化物半导体层；
第二阶段：氮化物半导体层上部形成发光器件；
第三阶段：所述发光器件的最上层形成UBM层；
第四阶段：焊接用基板上部形成有UBM层，在焊接用基板的UBM层上部，形成有在InSn，InZn，InAg和InBi中选择一个构成的焊接物质膜；
第五阶段：将所述的焊接用基板的焊接物质膜与发光器件的UBM层相接触，进行加热和压着、焊接；
第六阶段：蓝宝石基板上照射激光，将蓝宝石基板从发光器件中摘除。
2、如权利要求1所述的发光器件制造方法，其特征在于，焊接物质膜是InSn，在总重量中Sn占10wt％-55wt％。
3、如权利要求1所述的发光器件制造方法，其特征在于，焊接物质膜是InZn，在总重量中Zn占1wt％-4wt％。
4、如权利要求1所述的发光器件制造方法，其特征在于，焊接物质膜是InAg，在总重量中Ag占1wt％-5wt％。
5、如权利要求1所述的发光器件制造方法，其特征在于，焊接物质膜是InBi，在总重量中Bi占1wt％-60wt％。
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