[发明专利]接触孔的填充方法有效
| 申请号： | 200610030809.4 | 申请日： | 2006-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101140898A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 朱旋;宋伟基;毛刚;何德飚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触 填充 方法 | ||
1.一种接触孔的填充方法，其特征在于，包括：
提供一表面具有至少一个接触孔开口的衬底；
在所述衬底上形成粘附层；
在所述粘附层上形成阻挡层；
对所述接触孔开口的底部的所述阻挡层进行减薄处理；
在所述接触孔开口内形成钨塞。
2.如权利要求1所述的填充方法，其特征在于：所述粘附层为Ti层。
3.如权利要求1或2所述的填充方法，其特征在于：所述粘附层厚度在50到150之间。
4.如权利要求1所述的填充方法，其特征在于：所述阻挡层为TiN层。
5.如权利要求1或2所述的填充方法，其特征在于：所述阻挡层厚度在50到300之间。
6.如权利要求1所述的填充方法，其特征在于：所述减薄处理是利用离子注入方法实现的。
7.如权利要求6所述的填充方法，其特征在于：所述离子注入可以为N型或P型离子注入。
8.如权利要求6所述的填充方法，其特征在于：所述离子注入所用的离子是As、B或In中的一种。
9.如权利要求6所述的填充方法，其特征在于：所述离子注入所用能量在1到2KeV之间。
10.如权利要求6所述的填充方法，其特征在于：所述离子注入的注入方向垂直于所述衬底。
11.如权利要求1所述的填充方法，其特征在于：所述减薄处理是利用干法刻蚀方法实现的。
12.如权利要求1所述的填充方法，其特征在于：形成所述粘附层之前，利用Ar等离子轰击对所述接触孔进行了处理。
13.如权利要求1所述的填充方法，其特征在于：形成所述阻挡层之后，对所述衬底进行了热退火处理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610030809.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
