[发明专利]化学气相沉积室的清洁方法有效
| 申请号： | 200610030797.5 | 申请日： | 2006-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101139703A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 白杰;朴松源;何有丰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00;B08B3/00;B08B5/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 清洁 方法 | ||
1.一种化学气相沉积室的清洁方法，其特征在于，包括：
对所述沉积室进行抽真空处理；
加热所述沉积室；
通入清洁气体去除所述沉积室内的附着物；
停止通入所述清洁气体，完成清洁。
2.如权利要求1所述的清洁方法，其特征在于：所述附着物为氧化硅、氮化硅、碳化硅或氮氧化硅中的一种。
3.如权利要求1所述的清洁方法，其特征在于：通过所述沉积室的排气口将所述附着物与所述清洁气体反应后生成的产物排出所述沉积室。
4.如权利要求1所述的清洁方法，其特征在于：所述清洁气体包含HF气体。
5.如权利要求4所述的清洁方法，其特征在于：所述清洁气体中还包括F2含量为20％的F2与N2的混合气体。
6.如权利要求4所述的清洁方法，其特征在于：所述清洁气体中还包括载气体。
7.如权利要求6所述的清洁方法，其特征在于：所述载气体为氮气或氩气。
8.如权利要求4所述的清洁方法，其特征在于：所述HF的流速在0.25到2升/分钟之间。
9.如权利要求5所述的清洁方法，其特征在于：所述F2的流速在0.25到10升/分钟之间。
10.如权利要求6所述的清洁方法，其特征在于：所述载气体的流速在1到20升/分钟之间。
11.如权利要求1所述的清洁方法，其特征在于：所述加热的温度在300到500℃之间。
12.如权利要求1所述的清洁方法，其特征在于：清洁过程中所述沉积室的压力在200到500Torr之间。
13.如权利要求1所述的清洁方法，其特征在于：在变换用于沉积薄膜的反应源之前执行所述清洁。
14.如权利要求1或13所述的清洁方法，其特征在于：所述清洁完成后，沉积一层与所述沉积室将要沉积的薄膜相同的薄膜层。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
