[发明专利]互连结构的制造方法有效
| 申请号： | 200610030075.X | 申请日： | 2006-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101127320A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 杨小明;蓝受龙;高莺;汪钉崇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连 结构 制造 方法 | ||
1.一种互连结构的制造方法，包括：
提供一具有器件层的半导体基底；
在所述基底上沉积中间介质层并原位沉积与所述中间介质层同种材料的覆盖层；
在所述中间介质层中形成开口。
2.如权利要求1所示的互连结构的制造方法，其特征在于：所述中间介质层材料可以是黑钻石、氟硅玻璃等低介电常数材料。
3.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于：所述沉积中间介质层的反应材料包括OMCTS、TMCTS中的一种。
4.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于：所述沉积中间介质层的辅助气体包括氦气、氧气中的一种或其组合。
5.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于：所述沉积中间介质层的方法为化学气相沉积。
6.如权利要求3所述的互连结构的制造方法，其特征在于：所述OMCTS的流量为2600～2800mgm。
7.如权利要求4所述的互连结构的制造方法，其特征在于：所述氦气的流量为800～1000sccm，氧气流量为0～300sccm。
8.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于：所述沉积覆盖层的反应物质包括OMCTS、TMCTS中的一种。
9.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于：所述沉积覆盖层的辅助气体包括氦气、氧气中的一种或其组合。
10.如权利要求8所述的互连结构的制造方法，其特征在于：所述OMCTS的流量为600～800mgm。
11.如权利要求9所述的互连结构的制造方法，其特征在于：所述氦气的流量为850～1150sccm，氧气流量为600～800sccm。
12.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于：所述沉积覆盖层的腔室压力为3～6torr。
13.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于：所述沉积覆盖层的腔室温度为300～400℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
