[发明专利]多晶硅刻蚀腔体无效
| 申请号： | 200610029615.2 | 申请日： | 2006-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN101117715A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 吉黎;吴志丹;李虹;虞颖 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | C23F4/00 | 分类号： | C23F4/00;H01L21/302 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 刻蚀 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅刻蚀腔体，其特征在于，在多晶硅刻蚀腔体内的静电吸附盘周围环绕设有一底部和静电吸附盘处于同样高度、设置在静电吸附盘底座上的聚焦环，聚焦环高出静电吸附盘的部分高度在10mm至40mm之间，外径等于静电吸附盘底座的外径，内径在201mm至211mm之间，聚焦环围绕静电吸附盘周围部分高度等于静电吸附盘的高度，内径等于静电吸附盘的直径，外径等于静电吸附盘底座的外径。
2.如权利要求1所述的多晶硅刻蚀腔体，其特征在于，聚焦环围绕静电吸附盘周围部分高度在40mm至45mm之间，内径在245mm至260mm之间，聚焦环外径在250mm至300mm之间。
3.如权利要求1或2所述的多晶硅刻蚀腔体，其特征在于，聚焦环为陶瓷材料。
4.如权利要求1或2所述的多晶硅刻蚀腔体，其特征在于，聚焦环为石英材料。
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