[发明专利]焊料凸块的制造方法有效
| 申请号： | 200610028781.0 | 申请日： | 2006-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101106095A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 杨勇胜;肖德元;邢溯 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 焊料 制造 方法 | ||
1.一种焊料凸块的制造方法，其特征在于包括：
提供一具有顶层金属的半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成钝化层；
在所述钝化层上形成底部露出顶层金属的连接孔；
在所述钝化层上及连接孔中形成第一金属层；
在所述第一金属层上形成阻挡层；
在所述阻挡层上旋涂光致抗蚀剂并形成与连接孔相对应的开口；
在所述开口中形成第二金属层；
去除所述光致抗蚀剂；
刻蚀所述阻挡层、第一金属层至露出覆盖层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述钝化层为氮化硅、氧化硅、氮氧硅化合物、聚酰亚胺的其中之一或其组合。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：形成连接孔的步骤为：
在所述钝化层上旋涂光致抗蚀剂；
通过曝光显影将所述连接孔图案转移到光致抗蚀剂上；
刻蚀连接孔图案底部的钝化层至露出顶层金属；
去除所述光致抗蚀剂。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括：形成第一金属层前在所述连接孔中及钝化层上形成一粘结层。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一金属层为铝。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述粘结层为钽、氮化钽、氮化钛、钛化钨或其组合。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一金属层的形成方法为物理气相沉积。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述连接孔中形成的第一金属层顶部高于钝化层的顶部。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述阻挡层包括钽、氮化钽、氮化钛、钛化钨、钛硅氮化合物、钨、氮化钨或其组合。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述阻挡层的沉积方法为物理气相沉积、化学气相沉积或原子层沉积。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述开口底部露出阻挡层。
12.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二金属层为金，铜，镍，银。
13.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二金属层的形成方式为电镀或物理气相沉积。
14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括：在200～600度条件下退火。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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