[发明专利]射频金属氧化物半导体器件及其制造方法

权利要求书

1、一种射频金属氧化物半导体器件，其特征在于包括：

半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成的器件层；和

在所述器件层上形成的屏蔽层；以及

在所述屏蔽层上形成的互连层。

2、如权利要求1所述的射频金属氧化物半导体器件，其特征在于：所述器件层为复数栅射频金属氧化物半导体晶体管。

3、如权利要求1所述的射频金属氧化物半导体器件，其特征在于：所述屏蔽层材料是铝或铜。

4、如权利要求1所述的射频金属氧化物半导体器件，其特征在于：所述屏蔽层与器件层之间形成有绝缘层。

5、如权利要求4所述的射频金属氧化物半导体器件，其特征在于：所述绝缘层材料是氧化硅。

6、如权利要求1或3或4所述的射频金属氧化物半导体器件，其特征在于：所述屏蔽层接地。

7、如权利要求2所述的射频金属氧化物半导体器件，其特征在于：所述复数栅射频金属氧化物半导体晶体管栅极相互平行排布。

8、如权利要求3或4所述的射频金属氧化物半导体器件，其特征在于：所述绝缘层和屏蔽层中形成有连接孔。

9、如权利要求2所述的射频金属氧化物半导体器件，其特征在于：所述复数栅金属氧化物半导体晶体管栅极之间的衬底上依次形成有源极和漏极。

10、如权利要求2所述的射频金属氧化物半导体器件，其特征在于：所述复数栅射频金属氧化物半导体晶体管的栅氧厚度为1.0nm～4.0nm。

11、如权利要求2所述的射频金属氧化物半导体器件，其特征在于：所述复数栅射频金属氧化物半导体晶体管栅极宽度为65nm～350nm。

12、如权利要求1所述的射频金属氧化物半导体器件，其特征在于：所述器件层通过绝缘层和屏蔽层上的连接孔与互连层相连。

13、一种射频金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于包括：

提供一半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成器件层；

在所述器件层上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成屏蔽层；

在所述屏蔽层和绝缘层上形成连接孔；

在所述屏蔽层上形成互连层。

14、如权利要求13所述的射频金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于：所述器件层为复数栅射频金属氧化物半导体晶体管。

15、如权利要求13所述的射频金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于：所述屏蔽层材料是铝或铜。

16、如权利要求13所述的射频金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于：所述绝缘层材料是氧化硅。

17、如权利要求13所述的射频金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于：所述互连层通过连接孔与器件层电连接。