[发明专利]一种MIM电容材料刻蚀方法无效
| 申请号： | 200610025838.1 | 申请日： | 2006-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN101059657A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏;郑莲晃;韩秋华;吴湘惠;陈寰;朱旋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mim 电容 材料 刻蚀 方法 | ||
1、一种MIM电容材料刻蚀方法，其特征在于：
a.在晶片上依次形成第一金属层、电介质层和第二金属层；
b.在所述第二金属层上淀积一掩膜层；
c.涂覆光致抗蚀剂并图案化所述掩膜层；
d.移除所述光致抗蚀剂；
e.利用所述掩膜层刻蚀所述第二金属层。
2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述第二金属层为上电极。
3.根据权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于：所述上电极材料为Ta。
4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述掩膜层的图案化为刻蚀出电极引线图形。
5.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述掩膜层由具有良好阻挡作用及较高密度和绝缘强度的硬掩膜材料构成。
6.根据权利要求5所述的刻蚀方法，其特征在于：所述硬掩膜材料为氮化硅(SiN)、碳化硅(SiC)或氮氧化硅(SiON)。
7.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述光致抗蚀剂为正性光刻胶或负性光刻胶。
8.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述电介质层为高介电常数绝缘层。
9.根据权利要求8所述的刻蚀方法，其特征在于：所述绝缘层材料为氧化硅(SiO2)或氮化硅Si3N4。
10.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述第一金属层为下电极。
11.根据权利要求10所述的刻蚀方法，其特征在于：所述下电极材料为Cu合金。
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