[发明专利]采用标准CMOS逻辑工艺实现高耐压的整流器有效
| 申请号： | 200610021583.1 | 申请日： | 2006-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN1905345A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 王兼明;毛军华;巫向东 | 申请（专利权）人： | 绵阳凯路微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/217 | 分类号： | H02M7/217;H02M7/219;H01L27/02;H01L27/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 621000四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 标准 cmos 逻辑 工艺 实现 耐压 整流器 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于绵阳凯路微电子有限公司，未经绵阳凯路微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610021583.1/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：直连式升流变压器
- 下一篇：压力水垫式双螺旋水轮机
