[发明专利]一种结合压印技术制备各向异性有机场效应管的方法有效

专利信息
申请号: 200610012052.6 申请日: 2006-05-31
公开(公告)号: CN101083302A 公开(公告)日: 2007-12-05
发明(设计)人: 商立伟;涂德钰;王丛舜;刘明 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L51/40 分类号: H01L51/40
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 段成云
地址: 100029*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 结合 压印 技术 制备 各向异性 有机 场效应 方法
【权利要求书】:

1,一种结合压印技术制备各向异性有机场效应管的方法,是由一次绝缘介质沉积,两次有机半导体薄膜沉积,一次压印和一次金属沉积,获得各向异性的有机场效应管,其特征在于,其步骤如下:

步骤1、在导电基底上制备绝缘介质层;

步骤2、在绝缘介质层薄膜表面上蒸发沉积第一层有机半导体薄膜;

步骤3、利用模板压印有机薄膜,把设计的模板图形转移到第一层有机薄膜上;

步骤4、在有图形的第一层有机半导体薄膜表面上蒸发沉积生长与第一层有机半导体薄膜同质的第二层有机半导体薄膜;

步骤5、通过镂空的掩模版沉积源漏金属电极,完成各向异性有机场效应管的制备。

2,根据权利要求1所述的结合压印技术制备各向异性有机场效应管的方法,其特征在于,其中所述的导电基底是电阻率较低的导电材料,其目的是作为有机场效应管的栅极。

3,根据权利要求1所述的结合压印技术制备各向异性有机场效应管的方法,其特征在于,其中所述的在导电基底表面上淀积的绝缘介质层是采用热氧化生长或化学气相沉积的方法获得。

4,根据权利要求1所述的结合压印技术制备各向异性有机场效应管的方法,其特征在于,其中所述第一层有机半导体薄膜的沉积采用真空热蒸镀方法,其目的是在介质层上生长出大晶粒的有序的连续的第一层有机半导体薄膜。

5,根据权利要求1所述的结合压印技术制备各向异性有机场效应管的方法,其特征在于,其中所述的源漏金属电极是采用金属蒸发技术或磁控溅射的方法沉积的。

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