[发明专利]用于半导体激光器中光栅制作的腐蚀液及制作方法有效
| 申请号： | 200610011983.4 | 申请日： | 2006-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101078120A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 付生辉;钟源;陈良惠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23F1/16 | 分类号： | C23F1/16;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 半导体激光器 光栅 制作 腐蚀 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种用于半导体激光器中光栅制作的腐蚀液，其特征在于，该腐蚀溶液是按体积比为：
Br2∶HBr∶H20＝1∶25∶480配制的混合溶液。
2、根据权利要求1所述的用于半导体激光器中光栅制作的腐蚀液，其特征在于，其中HBr和Br2纯度为分析纯。
3、根据权利要求1或2所述的用于半导体激光器中光栅制作的腐蚀液，其特征在于，其中HBr和Br2纯度为MOS级。
4、一种用于半导体激光器中光栅制作的腐蚀液的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)先按体积比Br2∶HBr∶H20＝1∶25∶480，量好Br2和HBr，然后将两者搅拌使其充分混合；
(2)将混合好的Br2和HBr混合液放置10分钟；
(3)将H2O按比例量好，倒入Br2和HBr的混合液中，搅拌；
(4)将混合好的Br2∶HBr∶H20放置一小时，完成腐蚀液的制作。
5、根据权利要求4所述的用于半导体激光器中光栅制作的腐蚀液的制作方法，其特征在于，其中HBr和Br2纯度为分析纯。
6、根据权利要求4或5所述的用于半导体激光器中光栅制作的腐蚀液的制作方法，其特征在于，其中HBr和Br2纯度为MOS级。
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