[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具有：

铁电电容器，其形成在半导体衬底的上方，并且具有下部电极、铁电膜 以及上部电极；

多个第一布线，形成在所述铁电电容器的上方，并且所述第一布线的一 部分与所述上部电极和下部电极中的至少一个连接；

第一阻挡膜，直接覆盖所述第一布线，用于防止氢或者水分的扩散；

氧化硅膜，填埋在多个所述第一布线之间；

第二阻挡膜，形成在所述第一阻挡膜和所述氧化硅膜上，且该第二阻挡 膜表面平坦；

层间绝缘膜，形成在所述第二阻挡膜上；

第二布线，形成在所述层间绝缘膜上，并且所述第二布线的一部分与所 述第一布线连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第二阻挡 膜与所述第二布线之间，不存在防止氢或者水分的扩散的膜。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一及第二 阻挡膜为金属氧化膜。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一及第二 阻挡膜为氧化铝膜或者氧化钛膜中的任意一种。

5.一种半导体器件，其特征在于，具有：

铁电电容器，其形成在半导体衬底的上方，并且具有下部电极、铁电膜 以及上部电极；

第一布线，其形成在所述铁电电容器的上方，并且所述第一布线的一部 分与所述上部电极和下部电极中的至少一个连接；

阻挡层，其直接覆盖所述第一布线，用于防止氢或者水分的扩散，而且 所述阻挡层的表面平坦；

层间绝缘膜，其形成在所述阻挡层上；

第二布线，其形成在所述层间绝缘膜上，并且所述第二布线的一部分与 所述第一布线连接；

第三阻挡膜，其直接覆盖所述第二布线，用于防止氢或者水分的扩散， 而且所述第三阻挡膜的表面平坦。

6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底的上方形成铁电电容器的工序，所述铁电电容器具有下部 电极、铁电膜以及上部电极；

在所述铁电电容器的上方形成多个第一布线的工序，所述第一布线的一 部分与所述上部电极和所述下部电极中的至少一个连接；

形成第一阻挡膜的工序，所述第一阻挡膜直接覆盖所述第一布线，用于 防止氢或者水分的扩散；

在多个所述第一布线之间填埋绝缘膜的工序；

在所述第一阻挡膜和所述绝缘膜上形成表面平坦的第二阻挡膜的工序；

在所述第二阻挡膜上形成层间绝缘膜的工序；

在所述层间绝缘膜上形成第二布线的工序，所述第二布线的一部分与所 述第一布线连接。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

形成所述第一阻挡膜的工序，所述第一阻挡膜覆盖所述第一布线的侧表 面及上表面；

在所述第一阻挡膜上形成平坦的所述第二阻挡膜的工序。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形 成所述第一阻挡膜的工序和形成所述第二阻挡膜的工序之间包括：

在所述第一阻挡膜上形成所述绝缘膜的工序；

对所述绝缘膜进行平坦化处理直到所述第一阻挡膜的上表面露出为止 的工序。

9.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

形成所述第一阻挡膜的原料膜的工序，所述第一阻挡膜的原料膜覆盖所 述第一布线的侧表面及上表面；

在所述原料膜上形成所述绝缘膜的工序；

对所述绝缘膜及原料膜进行平坦化处理直到所述第一布线的表面露出 为止的工序。