[发明专利]管理方法及管理装置无效

专利信息
申请号: 200580051700.2 申请日: 2005-09-27
公开(公告)号: CN101273311A 公开(公告)日: 2008-09-24
发明(设计)人: 冈安俊幸;须川成利;寺本章伸 申请(专利权)人: 爱德万测试株式会社;国立大学法人东北大学
主分类号: G05B19/418 分类号: G05B19/418
代理公司: 北京英特普罗知识产权代理有限公司 代理人: 齐永红
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 管理 方法 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及管理生产半导体电路等的电子器件的生产线中使用的生产装置的管理方法以及管理装置。

背景技术

多年来,在生产半导体电路等的电子器件时,均是通过清洗工序、热处理工序、掺杂工序、成膜工序、光刻工序、蚀刻工序等多种生产工序生产电子器件的。在各道生产工序中,使用可实施该生产工序的生产装置。

此外,在生产出电子器件后,电子器件出厂前,均进行该电子器件的测试,选择出不良的电子器件。该测定可通过测试诸如电子器件的电特性进行。

此外,为了提高电子器件的成品率,分析不良电子器件,检出产生该不良的原因。例如,可通过分析电子器件检测生产线中的哪道工序中出了问题。

发明内容

然而,多年来,要想检测生产线中的哪道工序中出了问题,就得测定不良电子器件的元件形状等,例如可通过电子器件的显微镜照片等推断出不良原因。因此,推测不良原因需要花费相当长的时间。此外,难以准确确定构成不良原因的生产装置。

为此,本发明的目的在于提供一种能够解决上述课题的管理方法以及管理装置。该目的可通过组合权利要求范围内的独立权项中所述的特征实现。此外,从属权项规定本发明更加有利的具体实施例。

为了解决上述课题,本发明的第1种方式提供一种管理方法,是针对通过多道生产工序生产电子器件的被管理生产线,管理各道生产工序中使用的各个生产装置的管理方法,具有:基准特性取得阶段,其取得基准器件的特性,该基准器件通过可实施多道生产工序的、预定的基准生产线生产;比较器件生产阶段,其使被管理生产线处理多道生产工序中的至少一道生产工序,使基准生产线处理其它生产工序,生产比较器件;比较特性测定阶段,其测定比较器件的特性;特性比较阶段,其比较基准器件的特性和比较器件的特性;判定阶段,其根据特性的差异,判定处理比较器件的被管理生产线的生产工序中使用的生产装置是否良好。

还可在基准特性取得阶段内测定基准器件的特性。管理方法还可具有保证阶段,其预先测定基准生产线中使用的多个生产装置的特性,预先保证基准生产线中使用的各个生产装置良好。

管理方法还可具有:信息取得阶段,其预先取得被管理生产线中使用的多个生产装置的信息;基准生产线构筑阶段,其根据生产装置的信息,预先构筑基准生产线。管理方法还具有基准选择阶段,其从用同一生产工序生产电子器件的多道生产线中预先选择基准生产线。

基准选择阶段还有:测定阶段,其预先测定通过各道生产线生产的各个电子器件的特性;选择阶段,其根据各个电子器件的特性,从多道生产线中预先选择基准生产线。

基准特性取得阶段,以及比较器件生产阶段通过多道生产工序生产电子器件,该电子器件具有测试电路,该测试电路包括呈二维矩阵形排列、各自含有前述被测定晶体管的多个被测定电路,以及使指定的一个前述被测定电路的输出信号向前述多个被测定电路共同设置的输出信号线输出的选择部;基准特性取得阶段具有:晶体管选择阶段,其在基准器件的测试电路中,通过选择部依次选择多个被测定电路;输出测定阶段,其根据基准器件的测试电路中,选择出的被测定电路向输出信号线输出的输出信号,测定各个被测定电路具有的被测定晶体管的电特性;比较特性测定阶段具有:晶体管选择阶段,其在比较器件的测试电路中,通过选择部依次选择多个被测定电路;输出测定阶段,其根据比较器件的测定电路中,选择出的被测定电路向输出信号线输出的输出信号,测定各个被测定电路具有的被测定晶体管的电特性。

各个被测定电路包括:栅极电压控制部,其把指定的栅极电压外加给被测定晶体管的栅极端子;基准电压输入部,其把从外部输入的基准电压提供给被测定晶体管的漏极端子以及源极端子中的一方的基准电压侧端子;端子电压输出部,其以从外部输入选择信号为条件,把被测定晶体管的漏极端子以及源极端子中基准电压侧端子以外的端子的端子电压作为输出信号输出;选择部包括:行选择部,其向二维矩阵形排列的多个被测定电路中与指定的行对应的被测定电路输出选择信号;列选择部,其从输入选择信号的被测定电路中,选择出与指定的列对应的被测定电路的端子电压,使之向输出信号线输出;测试电路还包括:多个电流源,其与多个被测定电路的各列对应设置,使指定的源极漏极间电流在行选择部输入了选择信号的被测定电路中流动;基准特性取得阶段以及比较特性测定阶段测定端子电压,作为各个被测定晶体管的电特性。

基准特性取得阶段以及比较特性测定阶段,针对各个被测定晶体管,根据基准电压以及端子电压,把该被测定晶体管的阈值电压作为电特性加以测定。

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