[发明专利]生产系统、生产方法、管理装置、管理方法以及程序

说明书

技术领域

本发明涉及生产系统、生产方法、管理装置、管理方法以及程序。本发明尤其涉及通过恰当管理生产线生产电子器件的生产系统、生产方法、管理装置、管理方法以及程序。

背景技术

近年来，半导体元件的物理尺寸的细微化进展显著，此外，随着元件的细微化，对元件特性产生影响的缺陷尺寸也越来越小。由于这些半导体元件以及缺陷的细微化，元件的特性误差增大，已成为电路生产时的课题。例如，MOS晶体管的阈值电压，电流电压特性等的误差大小已对电路整体的可靠性，以及电路生产时的成品率产生重大作用。

此外，除上述统计性误差之外，以1万-100万个中有几个的比例产生的比特不良，斑点不良等局部不良也是支配电路可靠性、成品率的重要因素，成为电路生产时的课题。

在电子器件的生产过程中，所关注的课题是如何减少以上所述的元件特性误差以及局部不良，实现高可靠性及高成品率。因此，希望能早期发现生产电子器件的多道工序中是哪道工序出现了问题，并恰当地变更对产生问题的生产工序进行处理的生产装置的处理条件。

多年来，为了判断各生产工序是否良好，实施了各种处理，例如通过在生产线上投入测试用的晶片，用SEM(扫描式电子显微镜)观察该晶片上形成的绝缘膜的膜厚，或用光学手段或X射线观察是否有微粒或金属污染存在等。例如，专利文献1，即公开了一种根据测量曝光装置在测试晶片上曝光的图形形状等获得的加工状态信息，修正曝光装置的工作条件的技术。(参照专利文献1的0034～0039段)

此外，针对存储器件等可用少品种大批量生产的电子器件，通过监控最终产品的成品率实施了生产线的实力管理。

专利文献1：专利第3371899号

发明内容

在通过观察晶片上形成的图形判断生产线是否良好的情况下，由于受处理时间的制约，不能观察多数图形，难以判断元件的特性误差及局部性不良。因此，除把图形形状反馈给曝光装置之类的直接性手段之外，很难恰当地确定出现问题的生产工序。此外，很难获得足以微调生产装置的设定参数的数据。

在监控最终产品的成品率的情况下，除反馈需要相当长的时间之外，很难从成品级的电子器件中取得足够的特性，难以恰当确定产生问题的生产工序，调整生产装置的设定参数。

为此，本发明的目的在于提供一种能够解决上述课题的生产系统、生产方法、管理装置、管理方法以及程序。该目的可通过组合权利要求范围内的独立权项中所述的特征来实现。此外，从属权项规定了本发明的更为有利的具体例子。

根据本发明的第一种方式，提供一种管理方法，其通过采用多道生产工序生产电子器件管理生产线产品质量；包括：生产阶段，其通过前述生产线生产晶片，该晶片具有含多个被测定晶体管的测试电路；测定阶段，其测定前述多个被测定晶体管各自的电特性；确定阶段，其根据前述电特性不满足预定基准的前述被测定晶体管在前述晶片上的分布，确定前述多道生产工序中产生不良的生产工序。

前述生产阶段也可通过前述生产线生产前述晶片，该晶片具有前述测试电路，该测试电路包括呈二维矩阵形排列，各自含有前述被测定晶体管在内的多个被测定电路，以及使指定的一个前述被测定电路的输出信号向前述多个被测定电路共同设置的输出信号线输出的选择部；前述测定阶段也可具有：晶体管选择阶段，其通过前述选择部依次选择前述多个被测定电路；输出测定阶段，其根据选择出的前述被测定电路向前述输出信号线输出的前述输出信号，测定各个前述被测定电路具有的前述被测定晶体管的电特性。

各个前述被测定电路也可包括：栅极电压控制部，其把指定的栅极电压外加给前述被测定晶体管的栅极端子；基准电压输入部，其把从外部输入的基准电压提供给前述被测定晶体管的漏极端子以及源极端子中的一方的基准电压侧端子；端子电压输出部，其以从外部输入选择信号为条件，把前述被测定晶体管的漏极端子以及源极端子中前述基准电压侧端子以外的端子的端子电压作为前述输出信号输出；前述选择部也可包括：行选择部，其向二维矩阵形排列的前述多个被测定电路中，与指定的行对应的被测定电路输出前述选择信号；列选择部，其选择输入前述选择信号的前述被测定电路中，与指定的列对应的前述被测定电路的端子电压之后，向前述输出信号线输出；前述测试电路还可包括多个电流源，其与前述多个被测定电路的各列对应设置，使指定的源极漏极间电流流向由前述行选择部输入前述选择信号的前述被测定电路；前述输出测定阶段作为各个前述被测定晶体管的前述电特性，测定前述端子电压。