[发明专利]增透硬掩膜组合物和该组合物的使用方法

权利要求书

1、一种增透硬掩膜组合物，该组合物含有：

(a)含有至少一种含有式(I)单体单元的聚合物的聚合物组分；

其中

R₁和R₂各自独立地选自由氢、羟基、烷基、芳基、烯丙基、卤素、以及它们的任意组合所组成的组中；

R₃和R₄各自独立地选自由氢、交联官能团、发色团、以及它们的任意组合所组成的组中；

R₅和R₆各自独立地选自由氢和烷氧基硅烷基所组成的组中；

R₇选自由氢、烷基、芳基、烯丙基、以及它们的任意组合所组成的组中；和

n是正整数；

(b)交联组分；和

(c)酸催化剂。

2、根据权利要求1所述的增透硬掩膜组合物，其中，所述R₁和R₂各自独立地选自由氢、羟基、C_1-10的烷基、C_6-10的芳基、烯丙基和卤素所组成的组中；

所述R₃和R₄各自独立地选自由氢、交联官能团和发色团所组成的组中；

所述R₅和R₆各自独立地为氢；和

所述R₇选自由氢、C_1-10的烷基、C_6-10的芳基和烯丙基所组成的组中。

3、根据权利要求1所述的增透硬掩膜组合物，其中，n是1至约190的整数。

4、根据权利要求1所述的增透硬掩膜组合物，其中，所述含有式(I)单体单元的聚合物的重均分子量为约5,000g/mol至约15,000g/mol，聚合度为约1.5至约2.5。

5、根据权利要求1所述的增透硬掩膜组合物，其中，该组合物含有约1重量％至约20重量％的所述聚合物组分；约0.1重量％至约5重量％的所述交联组分；和约0.001重量％至0.05重量％的所述酸催化剂。

6、根据权利要求1所述的增透硬掩膜组合物，其中，所述聚合物组分含有约1重量％或以下的未反应的单体。

7、根据权利要求1所述的增透硬掩膜组合物，该组合物还含有溶剂。

8、根据权利要求1所述的增透硬掩膜组合物，该组合物还含有表面活性剂。

9、根据权利要求1所述的增透硬掩膜组合物，其中，所述发色团选自由苯基、基、芘基、氟代蒽烯基、蒽酮基、二苯酮基、噻吨酮基、蒽基、蒽基衍生物、以及它们的任意组合所组成的组中。

10、根据权利要求1所述的增透硬掩膜组合物，其中，所述交联官能团选自由环氧、酯、烷氧基和羟基所组成的组中。

11、根据权利要求1所述的增透硬掩膜组合物，其中，所述交联组分选自由三聚氰胺树脂、氨基树脂、甘脲化合物、二环氧化合物、以及它们的任意组合所组成的组中。

12、根据权利要求1所述的增透硬掩膜组合物，其中，所述酸催化剂选自由一水合对甲苯磺酸、对甲苯磺酸吡啶盐、2，4，4，6-四溴环己二烯酮、有机磺酸的烷基酯、以及它们的任意组合所组成的组中。

13、根据权利要求12所述的增透硬掩膜组合物，其中，所述有机磺酸的烷基酯选自由苯偶姻甲苯磺酸酯、甲苯磺酸-2-硝基苄酯、以及它们的任意组合所组成的组中。

14、一种在基底上形成具有图案的材料层的方法，该方法包括：

(a)在材料层上形成增透硬掩膜层，其中，所述增透硬掩膜层含有权利要求1所述的组合物；

(b)在所述增透硬掩膜层上形成辐射敏感成像层；

(c)将所述成像层暴露于辐射中；

(d)对所述成像层和增透硬掩膜层进行显影，以使部分材料层暴露；和

(e)对所述材料层的暴露部分进行蚀刻。

15、一种半导体集成电路，该半导体集成电路是通过使用权利要求14所述的方法制成的。