[发明专利]用于控制硅锗缓冲层中的位错位置的方法

权利要求书

1.一种用于控制硅锗缓冲层中的位错位置的方法，包括：

将应变含硅锗层沉积在衬底上；

用位错诱导剂照射所述含硅锗层的一个或多个区域；

通过退火工艺处理所述衬底和所述应变含硅锗层，将所述应变含硅锗层转变成弛豫状态；以及

其中在所述含硅锗层中的位错位于所述一个或多个区域中。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括将选自由应变硅和应变硅锗组成的组中的应变材料的层沉积在所述弛豫含硅锗层上。

3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：

用布置在所述应变材料的层上的掩膜来暴露所述包含位错的一个或多个区域；以及

在所述包含位错的一个或多个区域中形成二氧化硅隔离区域。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述二氧化硅隔离区域通过氧离子注入、随后的退火工艺形成。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个区域包括多个通道。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述一个或多个区域包括多个相交的通道。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述位错诱导剂包括离子。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述位错诱导剂包括电子。

9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在用退火工艺处理所述衬底和应变含硅锗层之前，将含硅层沉积在所述应变含硅锗层上。

10.一种用于控制硅锗缓冲层中的位错位置的方法，包括：

用位错诱导剂照射衬底的一个或多个区域；

将应变含硅锗层沉积在所述衬底上；

用退火工艺处理所述衬底和应变含硅锗层从而将所述应变含硅锗层转变成弛豫状态；以及

其中所述含硅锗层中的位错位于所述一个或多个区域。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括将选自由应变硅和应变硅锗组成的组中的应变材料的层沉积在弛豫硅锗层上。

12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：

用布置在所述应变材料的层上的掩膜来暴露所述包含位错的一个或多个区域；以及

在所述包含位错的一个或多个区域中形成二氧化硅隔离区域。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述二氧化硅隔离区域通过氧离子注入、随后的退火工艺形成。

14.根据权利要求10所述的方法，其中所述一个或多个区域包括多个通道。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述一个或多个区域包括多个相交的通道。

16.根据权利要求10所述的方法，其中所述位错诱导剂包括离子。

17.根据权利要求10所述的方法，其中所述位错诱导剂包括电子。

18.根据权利要求10所述的方法，进一步包括在用退火工艺处理所述衬底和应变含硅锗层之前，将含硅层沉积在所述应变含硅锗层上。

19.一种在衬底上形成量子点阵列的方法，包括：

将应变含硅锗层沉积在衬底上；

用位错诱导剂照射所述应变含硅锗层的一个或多个区域；

使所述应变硅锗层驰豫到弛豫状态，其中所述弛豫过程在所述弛豫硅锗层中形成位错网络；以及

将量子点沉积在所述位错网络上。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述位错网络是基本上垂直的网络。

21.一种制品，包括：

衬底；

设置在所述衬底上的弛豫缓冲层；以及

形成在所述弛豫缓冲层中的多个隔离区域，其中所述隔离区域包括穿透位错并且所述弛豫缓冲层的剩余部分基本上没有穿透位错。