[发明专利]硅晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 200580050229.5 | 申请日： | 2005-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101238557A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 杉村涉;小野敏昭;宝来正隆 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;H01L21/324;H01L21/26;C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 熊玉兰;李平英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 及其 制造 方法 | ||
1.一种硅晶片的制造方法，其为硅单晶晶片的制造方法，该方法包括：
在含有含氢原子的物质的气体的惰性环境气体中，通过CZ法生长硅单晶的步骤，
由所述硅单晶切出晶片的步骤，
在非氧化环境气体中、于1000℃～1300℃下对所述晶片实施热处理的高温热处理步骤，
在所述高温热处理步骤之前，在低于该热处理温度的温度下，对所述晶片实施热处理的低温热处理步骤。
2.一种硅晶片的制造方法，该方法包括：
在含有含氢原子的物质的气体的惰性环境气体中，通过CZ法生长硅单晶的步骤，
由所述硅单晶切出晶片的步骤，
对所述晶片实施用于防止电阻率变动的消除施主的热处理的施主消除热处理步骤，
在所述施主消除热处理步骤之前，在低于该热处理温度的温度下，对所述晶片实施热处理的低温热处理步骤。
3.如权利要求1或2所述的硅晶片的制造方法，其中，所述低温热处理步骤的温度范围为400℃～650℃、升温速率为0.2℃/min～2.0℃/min。
4.如权利要求3所述的硅晶片的制造方法，其中，所述热处理步骤通过梯度热处理进行。
5.如权利要求1所述的硅晶片的制造方法，其中，通过所述低温热处理步骤，使所述高温热处理步骤前后的氧浓度差根据ASTM-F1211979测定为1.5×1017个原子/cm3以上。
6.如权利要求1所述的硅晶片的制造方法，其中，所述惰性环境气体中的氢浓度，在炉内压力为1.3～13.3kPa的条件下，被设定于0.1％～20％的范围。
7.如权利要求1或2所述的硅晶片的制造方法，其中，使所述高温热处理后的氧析出物密度为1.0×1010个/cm3以上。
8.一种硅晶片，其通过权利要求1或2中任意一项所述的制造方法制造。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胜高股份有限公司，未经胜高股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200580050229.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
