[发明专利]高电流电子开关及方法

权利要求书

1.一种高电流电子开关，其包括：

第一主要导体；

第二主要导体；以及

一个或更多开关元件的阵列，所述阵列将所述第一主要导体电连接至所述第二主要导体，以及物理地夹入在所述第一主要导体和所述第二主要导体之间；

其中，开关元件的所述阵列具有小于大约500微欧的电阻。

2.根据权利要求1所述的开关，其中，所述导体的每一个具有小于20微欧的有效电阻。

3.根据权利要求1所述的开关，还包括实质上位于开关元件的所述阵列周围的印制电路板。

4.根据权利要求3所述的开关，其中，所述印制电路板包括控制所述开关元件的电路。

5.根据权利要求1所述的开关，其中，所述开关元件为MOSFET。

6.根据权利要求5所述的开关，其中，所述MOSFET的漏极引线直接地连接至所述第一主要导体。

7.根据权利要求5所述的开关，其中，所述MOSFET的源极引线直接地连接至所述第二主要导体。

8.根据权利要求5所述的开关，其中，所述MOSFET的栅极引线直接地连接至印制电路板。

9.根据权利要求8所述的开关，其中，所述MOSFET的源极引线经由金属条连接至所述第二主要导体。

10.根据权利要求9所述的开关，其中，所述金属条包括延伸至所述MOSFET的所述源极引线的接点。

11.一种高电流电子开关，其包括：

第一主要导体；

第二主要导体；以及

至少一个开关元件的阵列，所述阵列将所述第一主要导体电连接至所述第二主要导体，以及夹入在所述第一主要导体和所述第二主要导体之间；

其中，所述导体的每一个的有效长度与横截面积的比率小于大约40。

12.根据权利要求11所述的开关，其中，所述导体的每一个具有小于20微欧的有效电阻。

13.根据权利要求11所述的开关，还包括实质上位于开关元件的所述阵列周围的印制电路板。

14.根据权利要求13所述的开关，其中，所述印制电路板包括控制所述开关元件的电路。

15.根据权利要求11所述的开关，其中，所述开关元件为MOSFET。

16.根据权利要求15所述的开关，其中，所述MOSFET的漏极引线直接地连接至所述第一主要导体。

17.根据权利要求15所述的开关，其中，所述MOSFET的源极引线直接地连接至所述第二主要导体。

18.根据权利要求15所述的开关，其中，所述MOSFET的栅极引线直接地连接至印制电路板。

19.根据权利要求18所述的开关，其中，所述MOSFET的源极引线经由金属条连接至所述第二主要导体。

20.根据权利要求19所述的开关，其中，所述金属条包括延伸至所述MOSFET的所述源极引线的接点。

21.一种开关高电流的方法，其包括：

提供并联在第一导体和第二导体之间的开关元件的阵列；

将开关元件的所述阵列布置在所述第一导体和所述第二导体之间；

将来自每个开关元件的每个栅极引线电连接在一起；以及

使所述开关元件经由所述栅极引线受到控制，以闭合所述开关元件从而允许电流从所述第一导体流至所述第二导体，以及打开所述开关元件从而不允许所述电流从所述第一导体流至所述第二导体。