[发明专利]自动增益控制电路无效
| 申请号： | 200580049738.6 | 申请日： | 2005-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101204010A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 石黑和久 | 申请（专利权）人： | 新潟精密株式会社;株式会社理光 |
| 主分类号： | H03G3/10 | 分类号： | H03G3/10 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 自动增益控制 电路 | ||
1.一种自动增益控制电路，其特征在于：其包括：
构成串迭组态放大器的第一MOS晶体管与第二MOS晶体管，
和被差动连接在上述第二MOS晶体管的增益控制用MOS晶体管；
固定的偏压供给在上述第二MOS晶体管的栅极，而且使增益控制电压供给在上述增益控制用MOS晶体管的栅极；
将上述第二MOS晶体管与上述增益控制用MOS晶体管的组件面积比做成为1∶N，其中N≥1。
2.一种自动增益控制电路，其特征在于：其包括：
所述栅极被连接在讯号的输入端子，源极被接地的第一MOS晶体管，
和源极被连接在上述第一MOS晶体管的漏极，使固定的偏压被供给在栅极，而且漏极被连接在讯号的输出端子的第二MOS晶体管，
和以电流镜连接在上述第一MOS晶体管的第三MOS晶体管，
和被差动连接在上述第二MOS晶体管，且使增益控制电压供给在栅极的增益控制用MOS晶体管；
将上述第二MOS晶体管与上述增益控制用MOS晶体管的组件面积比做成为1∶N，其中N≥1。
3.根据权利要求1所述的自动增益控制电路，其特征在于：还包括：输入上述增益控制电压而将此通过平方根演算施以函数变换，并将变换后的增益控制电压供给在上述增益控制用MOS晶体管的栅极的接口电路。
4.根据权利要求1所述的自动增益控制电路，其特征在于：还包括：输入上述增益控制电压，而将表示上述增益控制电压比阀值还大的第一领域的增益控制特性的一次函数，执行使其与表示上述增益控制电压在上述阀值以下的第二领域的增益控制特性的一次函数近似的直线近似变换，并将变换后的增益控制电压供给在上述增益控制用MOS晶体管的栅极的接口电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新潟精密株式会社;株式会社理光，未经新潟精密株式会社;株式会社理光许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200580049738.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多级频率调制网屏及其制造方法
- 下一篇：给与通信节点会话的移动节点提供匿名性
