[发明专利]硅单晶的培育方法、以及硅晶片和使用该硅晶片的SOI衬底

权利要求书

1.硅单晶的培育方法，其特征在于，在用切克劳斯基法进行的硅单晶的培育中，使培育装置内的惰性气氛中的氢分压为40Pa～400Pa，将单晶直胴部培育成不存在Grown-in缺陷的无缺陷区域。

2.硅单晶的培育方法，其特征在于，在用切克劳斯基法进行的硅单晶的培育中，使培育装置内的惰性气氛中的氢分压为40Pa～160Pa，将单晶直胴部培育成空位优势无缺陷区域。

3.硅单晶的培育方法，其特征在于，在用切克劳斯基法进行的硅单晶的培育中，使培育装置内的惰性气氛中的氢分压超过160Pa并且为400Pa以下，将单晶直胴部培育成晶格间硅优势无缺陷区域。

4.权利要求1、2或3所述的硅单晶的培育方法，其特征在于，在用切克劳斯基法进行的硅单晶的培育中，仅在培育单晶的直胴部的期间向培育装置内的惰性气氛中添加含氢原子的物质的气体。

5.硅晶片，其特征在于，从用权利要求1、2、3或4所述的方法所培育的单晶采取。

6.权利要求5所述的硅晶片，其特征在于，氧浓度为1.2×10¹⁸atoms/cm³(ASTM  F121，1979)以上。

7.硅晶片，其特征在于，从用权利要求1、2、3或4所述的方法所培育的单晶采取，并实施了快速升降温热处理(RTA处理)。

8.SIMOX型衬底，其特征在于，将权利要求5所述的硅晶片用作基底晶片。

9.以权利要求5所述的硅晶片为有源层侧的晶片的贴合型SOI衬底。

10.权利要求8或9所述的衬底，其特征在于，氧浓度为1.0×10¹⁸atoms/cm³(ASTM F121，1979)以下。