[发明专利]用于激光软标印的方法和系统

权利要求书

1.一种标印半导体晶片以在所述晶片上形成软标印的激光标印方法，所述方法包括：

设定一个或多个激光脉冲的激光脉冲宽度，以选择性地提供具有一个或多个设定的脉冲宽度的一个或多个激光脉冲，所述一个或多个设定的脉冲宽度影响将形成的软标印的深度，标印深度实质上取决于所述一个或多个设定的脉冲宽度；

设定所述一个或多个激光脉冲的脉冲能量，以选择性地提供具有设定的总输出能量的所述一个或多个激光脉冲，所述设定的总输出能量在用于产生所述软标印的可接受的操作能量窗内；以及

将具有所述一个或多个设定的脉冲宽度和所述设定的总输出能量的所述一个或多个激光脉冲传递到所述晶片的区域，以使由所述一个或多个设定的脉冲宽度和所述设定的总输出能量所确定的所述区域内的能量密度修改晶片材料，并因而产生所述软标印，所述软标印具有隆起的环形边缘和凹进去的中心，所述凹进去的中心具有预定范围内的所述标印深度，其中所述软标印是无碎片的；以及

可控制地重新设定所述激光脉冲宽度而实质上不改变所述能量密度，以改变所述预定范围内的所述标印深度，其中所述标印深度被可控制地调整，以及其中所述标印深度实质上与相当大脉冲宽度范围内的脉冲宽度成比例。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述标印深度在1微米至6微米的范围内。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述标印深度是预先确定的，并且利用恰好一个激光输出脉冲来形成。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述标印深度比1微米更精细。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在单个激光脉冲中的能量在600微焦至1100微焦的范围内。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述可接受的操作能量窗以一范围内的中心能量为中心，所述范围具有低于所述中心能量10微焦的下限和高于所述中心能量10微焦的上限。

7.根据权利要求1所述的方法，其中激光脉冲具有在10纳秒至200纳秒范围内的设定的脉冲宽度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在设定所述脉冲能量的步骤后，执行设定所述激光脉冲宽度的步骤。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在设定所述激光脉冲宽度的步骤后，执行设定所述脉冲能量的步骤。

10.根据权利要求1所述的方法，其中实质上同时执行设定步骤。

11.一种标印半导体晶片以在所述晶片上形成软标印的激光标印系统，所述系统包括：

激光器子系统，其用于产生一个或多个激光脉冲；

控制器，其可操作地连接到所述激光器子系统以：

设定一个或多个激光脉冲的激光脉冲宽度，以选择性地提供具有一个或多个设定的脉冲宽度的一个或多个激光脉冲，所述一个或多个设定的脉冲宽度影响将形成的软标印的深度，标印深度实质上取决于所述一个或多个设定的脉冲宽度；以及

设定所述一个或多个激光脉冲的脉冲能量，以选择性地提供具有设定的总输出能量的所述一个或多个激光脉冲，所述设定的总输出能量在用于产生所述软标印的可接受的操作能量窗内；以及

可控制地重新设定所述脉冲宽度而实质上不改变能量密度，以改变所述标印深度，其中所述标印深度被可控制地调整；以及

光束传递系统，其包括光学子系统，所述光学子系统用于将具有所述一个或多个设定的脉冲宽度和所述设定的总输出能量的所述一个或多个激光脉冲传递到所述晶片的区域，以使由所述一个或多个设定的脉冲宽度和所述设定的总脉冲能量所确定的所述区域内的能量密度修改晶片材料，并因而产生所述软标印，所述软标印具有隆起的环形边缘和凹进去的中心，所述凹进去的中心具有预定范围内的所述标印深度，其中所述软标印是无碎片的，以及其中所述标印深度实质上与相当大脉冲宽度范围内的脉冲宽度成比例。

12.根据权利要求11所述的系统，其中所述控制器包括具有电子组件的子系统和通常用于进行标印系统控制的控制程序。

13.根据权利要求11所述的系统，其中所述控制器包括具有电子组件的子系统和专用于控制所述激光器子系统的控制程序。