[发明专利]光学传感器及光学传感器的像素选择方法无效
申请号: | 200580046023.5 | 申请日: | 2005-11-02 |
公开(公告)号: | CN101099379A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
发明(设计)人: | 杉山寿伸 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H04N5/335 | 分类号: | H04N5/335 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 黄小临;蒲迈文 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 传感器 像素 选择 方法 | ||
1.一种光学传感器,包含:
像素阵列部分,其中布置有多个像素;
像素选择部分,用于在所述像素阵列部分中选择读取像素;以及
检测部分,用于检测从由所述像素选择部分选择的像素中读取的信息,其中
每个所述像素具有
光电转换部分,用于根据光接收量产生电势,其中所述光电转换部分包含光电二极管,以及
保持和比较部分,包含电容器,所述电容器具有连接到所述光电二极管的第一电极和连接到选择晶体管的第二电极,所述选择晶体管在所述像素选择部分的控制下选择所述像素,所述保持和比较部分用于保持由所述光电转换部分在第一时间段内产生的电势,并且比较所述光电转换部分在第二时间段内所产生的电势和在第一时间段内保持的所产生的电势。
2.如权利要求1所述的光学传感器,其中
所述电容器的所述第二电极在所述第一时间段内由光电二极管的电势初始化,并且将根据所述第二时间段内的光电二极管的电势而发生变化的、所述第二电极的电势从所述选择晶体管经信号线传输至所述检测部分。
3.如权利要求2所述的光学传感器,其中所述检测部分通过比较经信号线从所述选择晶体管传送的所述第二电极的电势和参考电势以形成二进制数据,来检测所述第二电极的电势变化。
4.如权利要求3所述的光学传感器,其中所述参考电势是接地电压和电源电压的总和的1/2。
5.如权利要求3所述的光学传感器,其中所述检测部分由所述像素阵列部分的相邻列共享,在所述第二电极的电势检测之前由所述参考电势对两列的信号线预充电,通过在第一列的读取时间将第二列用作参考和在第二列的读取时间将第一列用作参考来进行信号放大。
6.如权利要求5所述的光学传感器,其中将在偏移量上不同的电势施加至列,作为预充电电势。
7.如权利要求2所述的光学传感器,进一步包含复位晶体管,用于使所述光电二极管复位。
8.如权利要求2所述的光学传感器,其中该传感器包含连接在所述光电二极管和所述电容器之间的传输晶体管,并且用于使所述电容器复位的复位晶体管连接到传输晶体管和所述电容器的连接部分。
9.如权利要求7所述的光学传感器,其中所述电容器保持在所述光电二极管和所述复位晶体管内持续产生的电流之间确定的电势。
10.如权利要求1所述的光学传感器,进一步包含所选像素图案变化部分,用于改变由所述像素选择部分选择的像素。
11.如权利要求1所述的光学传感器,其中:
所述传感器进一步包含判断部分,用于判断所述像素阵列部分中处于预定条件的像素,以及
所选像素图案变化部分控制所述像素选择部分,以便选择被判断为处于所述预定条件的像素或仅仅选择包括被判断为处于所述预定条件的像素的像素部分。
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